[其他]信息的光學記錄材料及其用途

無效

• 申請號: 87102377
• 申請日: 1987-03-25
• 公開（公告）號: CN1006102B
• 公開（公告）日: 1989-12-13
• 發明（設計）人: 德克·簡·格雷夫斯泰恩;卡羅勒斯·約翰尼斯·范德普爾
• 申請（專利權）人: 菲利浦光燈制造公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 吳增勇;吳秉芬

光學記錄材料，其成分為Ｏ_ｘＳｂ_ｙＴｅ_ｚ，其中Ｑ＝Ｉｎ，Ｇａ；ｘ＝３４－４４（原子％）；ｙ＝５１－６２（原子％）；ｚ＝２－９（原子％）；該材料可用于轉動的記錄元件２３（圖３）的晶狀記錄層２８上。所述記錄元件暴露于一脈沖化的激光光點２９中（圖４），其中形成的是非晶質信息位，可利用弱激光３０讀出和可在元件２３的轉動一周中利用一激光擦除光點３３（圖４）實時地擦除和變回到晶態。

本發明涉及光學記錄材料及其用途，該材料可用于一盤狀的記錄元件上（該元件包含一基底和一配置在基底上的包含該記錄材料的記錄層）所述記錄元件可轉動地暴露在越過記錄徑向移動的記錄光點下，該光點來自聚焦于該記錄層上并按照待記錄的信息進行調制的激光束，非晶質信息位形成在記錄層的所述暴光位置，這種信息位可用弱激光讀出并可用來自聚焦于記錄層的激光束擦除光點來擦除。

一種基于結晶非晶相變的方法可由例如申請人名下的歐洲專利申請第0，135，370號及共同待決的荷蘭專利申請第8403817號（PHN11243）中得知。在該已知的方法中，使用了Te-Se合金作為記錄材料，該記錄材料還可包含其它元素。這種方法的缺點在于擦除時間，即，使非晶質信息區（位）變回到原始的晶相所需的曝光時間，是很長的。例如，Te-Se-Sb合金的擦除時間為（例如）50微秒。

在記錄信息、讀出信息及擦除信息的過程當中，記錄元件是轉動的。該元件的線性速度（例如）為1米/秒至15米/秒或更快。在按照EFM（十四中有八）調制系統進行聲頻（聲音）信息記錄時，用1.4米/秒的一線性盤（元件）速度。在視頻信息記錄時，則用10-15米/秒的線性速度。

在擦除過程中，若能以與記錄過程中相同的線性盤速進行擦除，意即，進行實時擦除。則是極為理想的，此外，在元件轉動一周期間即能擦除信息也是極為理想。在實際應用上這表現為：直接在先有的信息上記錄新的信息的極其重要的可能性，就此而論，在將先有信息擦除后，能即刻以相同的盤速和相同的元件的轉動行程在其上記錄新信息。這種直接的重寫是不可能在磁-光記錄過程中實現的，因磁-光記錄過程中擦除和重錄之間記錄元件至少要轉動一整圈。

在上述具有50微秒擦除時間的相變記錄過程中，在元件轉動一周的實時內進行擦除實際上也不易實現。即使在1.4米/秒這樣一個非常低的線性盤速下，也已要求必須使用最小長度為70微米的狹縫狀擦除光點。該擦除光點是在記錄層上用于擦除過程中的激光束的光點。對于70微米大小的擦除光點而言，由于激光器所需功率高及光點在軌道上的定位問題，遇到了極為不利的實際問題。在較高的盤速情況下，甚至要求擦除光點的長度以毫米數量級計。而實際上這是不能實現的。

在已公開的日本專利申請第60-177446號中描述了一種光學記錄介質，它的記錄材料滿足分子式In_1-xSb_xM_y，其中M選自基本上為金屬的13種元素族，x是按重量計55-80%，而y是按重量計0至20%。在記錄信息的過程中，記錄材料暴露在調制的激光下。在暴光的地方，則依賴于冷卻速率形成一稱為π相的半穩定相或一InSb和Sb的混合相。通過加熱可將π相轉換成混合相。這樣在記錄和擦除過程中存在一混合相與π相之間的轉換。它的缺點在于當轉換混合相時，與兩種組分有關。其結果，轉換（記錄和擦除）的次數受到限制，盡管按所述日本專利申請公開書重復復制是可能的。這是一個穩定性的問題，這種問題對實際應用來說是不可以接受的。此外，混合相轉換到π相的速度也受限制，因為兩種組分InSb和Sb在轉換之前須彼此找出良好的比例。在所述日本專利申請公開書中沒有提供擦除過程的資料或公開其細節，特別是擦除速度、擦除過程的質量-可能的剩余信號的大小。它聲稱可通過激光“掃描”擦除信息。

此外，更為嚴重的缺點在于信息位的信噪比低，使得視頻記錄不可能實現。

本發明的一個目的在于提供一種光學記錄材料，該材料使得用很短的擦除時間，尤其是可在記錄元件的一圈轉動期間實時地擦除已記錄的非晶質信息位成為可能。

本發明的另一個目的在于提供一種光學記錄材料，使得已記錄的信息位可用平均為50分貝或更高的信噪比讀出乃至視頻記錄成為可能。