[其他]在多晶硅上具有平滑界面的集成電路

無效

• 申請號: 87102505
• 申請日: 1987-03-31
• 公開（公告）號: CN87102505A
• 公開（公告）日: 1987-12-30
• 發明（設計）人: 凱利帕特納姆·維維克·羅
• 申請（專利權）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類號: H01L21/70
• 分類號: H01L21/70;H01L27/02;H01L29/92;G11C11/24
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 景星光

1、一種集成電路制造中在兩層導電層之間制造電容器的方法，包括下列步驟：

(a)沉積一種包括大于50%、處于無定形狀態硅原子的第一導電層。

(b)在所說的第一導電層上沉積絕緣層。

(c)在所說的絕緣層上沉積一種第二導電層。

2、根據權利要求1的方法，其中所說的第一A導電層包括大于50%的硅原子。

3、根據權利要求1的方法，其中所說沉積絕緣層步驟包括低壓化學蒸汽沉積。

4、根據權利要求1的方法，其中沉積絕緣層的方法是沉積一種復合材料絕緣層。

5、根據權利要求1的方法，其中沉積絕緣層的方法是沉積一種多層的絕緣層，該絕緣層包括多層不同的組分。

6、根據權利要求1的方法，其中沉積所說的第一導電層是低于600℃的溫度下完成的。

7、根據權利要求1的方法，其中所說的第一層沉積的厚度小于3000。

8、根據權利要求1的方法，其中所說的絕緣層沉積的總厚度小于500。

9、根據權利要求1的方法，其中所說的第一導電層在所說的在其上面沉積絕緣層步驟之前，沒有被氧化。

10、根據權利要求1的方法，其中所說的第一導電層在所說的在其上面沉積絕緣層步驟之前，用注入法摻雜。

11、一種制造永久性存儲器單元的方法，包括下列各步：

（a）提供一種半導體主體。

（b）在永久性存儲器晶體管預定的位置上，形成門絕緣體。

（c）沉積第一絕緣層，該絕緣層包括在所說的永久性存儲晶體管的預定位置上的大于50%的處于無定形狀態下的硅原子（不是多晶體）。

（d）在所說的第一層上沉積一層絕緣層。

（e）在所說的絕緣層上沉積第二導電層。

（f）在所說的永久性存儲器晶體管的預定位置上，對所說的第一和第二導電層制作圖形，使所說的第一導電層形成一種浮置門，所說的第二導電層形成一種控制門。

12、一種集成電路電容，包括：

a，一種第一多晶體的導電層，它包括50%以上的硅原子;

b，在所說的第一導電層上的一種復合材料絕緣層;

c，在絕緣層上的一種第二導電層，其中在所說的第一導電層和所說的絕緣層之間的垂直于所說的界面的最大局部偏差是60。

13、一種集成電路電容，包括：

a，一種第一多晶體的導電層，它包括50%以上的硅原子。

b，在所說的第一導電層上的一種復合材料絕緣層。

c，在絕緣層上的一種第二導電層。

d，對所說的電容器施加電壓的方法，如果所說的絕緣層是一種具有所說的絕緣層的厚度的理想絕緣層，所說的電壓至少是擊穿所說絕緣層所需電壓的四分之一。

14、一種永久性的存儲器單元，包括：

a，一種晶體管通道區。

b，一疊加在所述晶體管通道區上面并與該晶體管通道區容性耦合的浮置門。

c，一種容性耦合到所說的浮置門的控制門，所說的控制門通過一絕緣層容性耦合到所說的浮置門，該絕緣層的垂直于所說界面的最大局部偏差是80。

15、一種永久性存儲器單元，包括：

a，一晶體管通道區。

b，一疊加在所述晶體管通道區上并與該晶體管通道區容性耦合的浮置門。

c，一容性耦合到所說浮置門的控制門，所說的控制門通過一絕緣層容性耦合到所說的浮置門，該絕緣層的垂直于所說界面的最大局部偏差是所說的絕緣層厚度的10%。