[其他]用于氣相淀積的方法和裝置

無效

• 申請號: 87102726
• 申請日: 1987-02-15
• 公開（公告）號: CN87102726A
• 公開（公告）日: 1987-12-16
• 發明（設計）人: 河合弘治;今永俊治;長谷伊知郎;金子邦雄;渡部尚三
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 楊麗琴

1、一種控制氣相淀積生長薄膜的成分及其生長的方法，包括下列步驟：

光束照射到上述薄膜表面上，該光束的入射角近似地與薄膜表面成直角，

接收從薄膜上反射的光束，用來監測生長參數和產生生長參數指示信號，并且

根據該生長參數指示信號反饋控制薄膜的生長條件。

2、一種如權利要求1所述的方法，其生長參數是根據該薄膜的反射光束強度得出的。

3、一種如權利要求2所述的方法，其生長參數之一是根據該反射光束強度得出的折射率。

4、一種如權利要求2所述的方法，其生長參數之一是該薄膜的成分。

5、一種如權利要求2所述的方法，其所述的生長參數之一是相對于照在薄膜表面的光束強度的所述的反射光相對強度。

6、一種如權利要求5所述的方法，其中所述的相對于入射光束強度的反射光相對強度，其變化取決于照射光束的波長。

7、一種如權利要求1所述的方法，其中所述的薄膜是在基片上制成的，該基片裝在基座上，基座具有一稍微傾斜的臺面。

8、一種如權利要求1所述的方法，其中所述的生長條件靠調節反應氣體流量來調整。

9、一種如權利要求7所述的方法，其中所述的基座是以一給定的常速繞其中心軸轉動的。

10、一種如權利要求9所述的方法，其中所述的在該基座上的基片，受到光束周期性的照射，其反射光強度變化取決于生長參數的變化。

11、一種用氣相淀積形成薄膜的裝置，包括：

第一部件??定義為反應室，氣體數量受到控制的反應氣流從其中流過;

第二部件??用光束以相對生長膜近似成直角的入射角照射到生長膜層的表面上。

第三部件??接收由生長膜反射的光束，用它產生一反射光束強度指示信號。

第四部件??根據反射光強度的指示信號，導出所述薄膜的多個生長參數。

第五部件??根據上述生長參數控制該薄膜的生長條件，因而生長參數與予定值相一致。

12、一種如權利要求11所述的裝置，在其所述第四部件中，根據該反射指示信號值得到該薄膜的厚度。

13、一種如權利要求11所述的裝置，在其所述第四部件中，得到該薄膜的折射率。

14、一種如權利要求11所述的裝置，在其所述第四部件中，得到關于參考光強度的相對反射光強度，用于檢測所述薄膜的成分。

15、一種如權利要求14所述的裝置，在其所述第四部件中，根據該薄膜開始淀積之前測得的反射光強，得到參考光強度。

16、一種如權利要求14所述的裝置，在其所述第四部件中，根據照到該薄膜上的光束的光強度，得到該參考光強度。

17、一種如權利要求15所述的裝置，其所述薄膜是采用金屬有機物化學氣相淀積方法，在基片上生長的，而所述的參考光強度，是根據相對于基片測出的反射光強度得出的。

18、一種如權利要求11所述的裝置，其中薄膜采用金屬有機物化學氣相淀積方法生長在基片上，基片裝在位于反應室內的基座上，該基座帶著基片以一給定的速率繞中心旋轉軸轉動，在轉動過程中，使該基片同上述第二部件在一定角度位置上對正。

19、一種如權利要求18所述的裝置，其中第二部件包含一組光束作為入射光源，以和基片表面近似垂直的角度照射，當基片位于基座的一予定角度位置時，每一個光束源對準該基片。