[其他]半導體電壓控制變容器無效
| 申請號： | 87103188 | 申請日： | 1987-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN1005885B | 公開（公告）日： | 1989-11-22 |
| 發明（設計）人： | 朱長純;劉君華 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 西安交通大學專利事務所 | 代理人： | 徐文權 |
| 地址： | 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 電壓 控制 容器 | ||
【權利要求書】：
1、一種MINP四層結構的電壓控制變容器，屬電壓控制的用于振蕩或轉換的半導體器件，由集電極〔1〕、SiO2絕緣層〔2〕、N型外延層〔3〕、P型襯底〔4〕和發射極〔5〕組成，該器件的電容值C為其兩端電壓Vec的函數，其特征是：①P型襯底〔4〕選用電阻率為0.08Ωcm以下的P型單晶硅，〈100〉晶向，單面拋光，無位錯，厚度為0.34至0.42mm;②N型外延層〔3〕用硅烷或四氯化硅外延生長，厚度為8至11μm，電阻率為10Ωcm左右，層錯密度小于100個/cm2;③背面蒸鋁電極制作發射極〔5〕，用真空蒸發法，襯底溫度200℃，厚度大于3000;④SiO2絕緣層〔2〕是在600℃、干氧流量為400ml/min時二小時內生成，厚度為80至100，同時背面硅、鋁合金化;⑤蒸正面鋁，條件同蒸背面鋁，只是襯底溫度為150℃;⑥用常規光刻工藝反刻鋁，制得集電極〔1〕;⑦封裝采用2CK22開關二極管的陶瓷環氧封裝工藝。
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