[其他]用屏蔽件來制造異形陶瓷復合體的方法

無效

• 申請號: 87103352
• 申請日: 1987-05-07
• 公開（公告）號: CN87103352A
• 公開（公告）日: 1988-03-30
• 發明（設計）人: 馬克·S·紐克爾克;羅伯特C·坎特內爾
• 申請（專利權）人: 蘭克西敦技術公司
• 主分類號: C04B37/02
• 分類號: C04B37/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 段承恩,徐汝巽

1、一種通過氧化母體金屬形成多晶材料來制取陶瓷體的方法，其中多晶材料基本由(1)上述母體金屬與包括氣相氧化劑在內的一種氧化劑的氧化反應產物，以及有選擇的(2)一種或多種金屬組份所組成，上述方法包括以下步驟：(a)至少在上述母體金屬的一部分上提供一屏蔽裝置，使其至少是部分地與此種母體金屬離開，以確定至少一個這種陶瓷體的表面；(b)加熱此母體金屬至高于其熔點但低于其氧化反應產物的熔點以形成一種熔融金屬體，并且在此溫度下，(i)上述熔融金屬與上述氧化劑反應而形成上述氧化反應產物，(ii)保持至少一部分上述氧化反應產物與該熔融金屬和氧化劑接觸并處于它們之間以使熔融金屬通過氧化反應產物移向上述的屏蔽裝置并使之與上述氧化劑接觸，使得在氧化劑與已形成的氧化反應產物間的界面處，繼續形成氧化反應產物，以及(iii)繼續進行上述反應直到上述屏蔽裝置，以產生出具有由上述屏蔽裝置確定的表面的上述陶瓷體。

2、一種生產自承陶瓷復合結構的方法，該復合結構包括由氧化母體金屬成多晶基質材料而獲得的陶瓷基質滲入的大量填料，上述多晶基質材料基本由（1）上述母體金屬與包括一種氣相氧化劑在內的一種或多種氧化劑的氧化反應產物，以及有選擇的（2）一種或多種金屬組分所組成，上述方法包括以下步驟：（a）加熱上述母體金屬到高于其熔點但低于氧化反應產物之熔點的溫度以形成一種熔融金屬體，（b）使上述填料區與上述熔融金屬體接觸，上述填料至少有一個為一屏蔽裝置所限定的表面屏蔽層至少是部分地與上述接觸區離開，這樣一來，使得所說的氧化反應產物的形成將發生在上述大量填料中并朝上述的屏蔽裝置的方向，且在上述溫度下，（ⅰ）上述熔融金屬與上述氧化劑反應形成上述氧化反應產物，（ⅱ）保持至少一部分氧化反應產物與該熔融金屬和氧化劑接觸并保持于它們之間，通過此氧化反應產物使熔融金屬逐漸朝此氧化劑的方向移動，使得在氧化劑與事先形成的已滲入到上述填料中的氧化反應產物之間的界面上，繼續形成氧化反應產物，以及（ⅲ）繼續朝上述屏蔽裝置的方向進行上述反應，以生產出具有為上述屏蔽裝置所確定的表面的陶瓷復合結構。

3、一種生產具有所需形狀的陶瓷復合體的方法，該復合體包括被氧化母體金屬形成的多晶基質而獲得的陶瓷基質所滲入的預制件，上述多晶基質基本由（1）上述母體金屬與包括一種氣相氧化劑在內的一種或多種氧化劑的氧化反應產物，以及有選擇的（2）一種或多種金屬組分所組成，上述方法包括以下各個步驟：（a）加熱上述母體金屬至高于其熔點但低于其氧化反應產物之熔點的溫度以形成一種熔融金屬體，（b）提供一種至少有一個表面被屏蔽裝置所限定的異型預制件，上述預制件對上述的氧化反應產物是可滲透的，（c）使上述預制件的一部分與上述熔融金屬體相接觸，使上述預制件的上述表面與上述接觸區分開，以使上述氧化反應產物的形成發生在此預成形件內，并沿著朝向上述表面的方向發展，且在上述溫度下，（ⅰ）上述熔融金屬與上述氧化劑反應形成上述氧化反應產物，（ⅱ）保持至少一部分上述氧化反應產物與上述熔融金屬和氧化劑接觸并處于它們之間，使熔融金屬通過上述氧化反應產物朝上述氧化劑的方向逐漸移動，以使得這種氧化反應產物繼續在上述氧化劑和事先形成的已滲入上述預制件中的氧化反應產物之間的界面處形成，以及（ⅲ）繼續上述反應，直至上述多晶基質已滲入上述預制件達到上述屏蔽裝置處，生產出上述具有上述預制件的幾何形狀和由上述屏擋裝在所界定的表面的陶瓷復合體。

4、按照權利要求1、2或3所述的方法，其中上述屏蔽裝置在與移動的熔融母體金屬相接觸時，基本上不被上述移動的熔融母體金屬所潤濕。

5、按照權利要求1、2或3所述的方法，其中上述屏蔽裝置在與移動的熔融金屬相接觸時與上述移動的熔融母體金屬起反應，而基本上不阻礙上述熔融的母體金屬通過上述氧化反應產物移動。

6、按照權利要求1、2或3所述的方法，其中上述屏蔽裝置的材料是選自由硫酸鈣、硅酸鈣、硅酸鹽水泥、磷酸三鈣或它們的混合物組成的一組物質中。

7、按照權利要求6所述的方法，其中上述屏蔽裝置材料還包括一種揮發性材料，以使上述屏蔽裝置在操作條件下可滲透。

8、按照權利要求6所述的方法，其中上述的屏蔽裝置還包括一種填料。

9、按照權利要求8所述的方法，其中上述的填料呈顆粒狀，且其膨脹系數與上述填料或上述預制件的膨脹系數基本相同。