[其他]一種具有負電阻溫度系數的單晶硅熱敏電阻器及其制造方法

無效

• 申請號: 87103486
• 申請日: 1987-05-07
• 公開（公告）號: CN87103486B
• 公開（公告）日: 1988-08-10
• 發明（設計）人: 韋風輝;李國華;柳培立
• 申請（專利權）人: 中國科學院新疆物理研究所
• 主分類號: H01C7/04
• 分類號: H01C7/04
• 代理公司: 中國科學院新疆專利事務所
• 代理人: 王蔚,孟煒

1、一種具有負電阻溫度系數的單晶硅熱敏電阻器，是由摻雜的P型單晶硅芯片作為敏感體，在所說的P型單晶硅芯片的兩面用化學鍍鎳法形成電極，在所形成的鎳電極上用錫焊焊接鍍銀銅線作為引出線構成的，其特征在于摻雜的P型單晶硅敏感體是在P型單晶硅中同時摻鉑和摻金而形成的具有負電阻溫度系數，B值為3850K，B值偏差分布小于±0.3%，在25℃時阻值偏差分布小于±0.3%，使用溫區為-50℃～+100℃的單晶硅芯片，單晶硅熱敏電阻器用環氧樹脂包封。

2、權利要求1所述單晶硅熱敏電阻器的制造方法包括：

（1）選用高電阻率的P型單晶硅作襯底，在1200℃下，用涂源擴散法摻入雜質鉑，擴鉑時間為6小時，使鉑原子濃度達到1×10¹⁶厘米³以上;

（2）在800℃～1200℃下用涂源擴散法摻入雜質金，擴金時間為2小時，使摻雜后的單晶硅具有負電阻溫度系數，B值為3800K至3900K，電阻率達到所需值;

（3）在經過兩次擴散摻雜后的硅單晶片的兩面，用化學鍍鎳法形成鎳電極;

（4）將鍍好鎳電極的硅單晶片劃成1毫米×1毫米的芯片，并在芯片兩面用錫焊焊接鍍銀銅線作為引出線;

（5）焊好引出線的芯片在100℃下老化800小時，然后用機械調阻法調整電阻值;

（6）用環氧樹脂包封單晶硅熱敏電阻器。