[其他]半導體器件的制造方法和系統

無效

• 申請號: 87104656
• 申請日: 1987-07-04
• 公開（公告）號: CN87104656A
• 公開（公告）日: 1987-12-16
• 發明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/365
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京,杜有文

1、用化學汽相反應制造半導體器件的方法，其特征在于：該方法包括下列步驟：

引入一生產氣體到一包括有一置于磁場下的和接收微波的共振空間，以及一與共振空間互通的和在其內有一襯底的反應空間的真空室；

使所述的生產氣體置于所說磁場中；

對所述的生產氣體施加一微波，以激勵所述的生產氣體，以及在磁場存在的條件下給通過分解從所述的生產氣體中產生的帶電粒子供能；

借助于賦能的生產氣體的能量，實現硅和碳的化學汽相反應，隨后在安置在所述的真空室中的一襯底上淀積Si_xC_1-x(0＜X＜1)半導體層。

2、根據權利要求1的方法其特征在于還包括引入一反應氣體到所述的反應空間，所述的生產氣體與由微波激勵過的所述生產氣體混合，并由所述被激勵的生產氣體的能量賦能。

3、根據權利要求2的方法其特征在于所述的反應氣體含有甲基硅烷。

4、根據權利要求2的方法其特征在于所述的反應氣體是硅化物氣體和碳化物氣體的混合物。

5、根據權利要求2的方法其特征在于所述的反應氣體是硅烷和甲基硅烷的混合物。

6、根據權利要求3的方法其特征在于所述的甲基硅烷是二甲基硅烷。

7、根據權利要求1的方法其特征在于供能步驟是在電子回旋共振內實施。

8、根據權利要求4的方法其特征在于通過引入作為一摻雜氣體的硼化合物氣體與所述的反應氣體一起，以將所述的碳化硅半導體形成為P型半導體。

9、根據權利要求5的方法其特征在于所述的反應氣體包括磷化合物氣體作為一摻雜氣體。

10、根據權利要求8的方法其特征在于所述的硼化合物氣體是用硅烷氣體稀釋了的乙硼烷氣體。

11、用化學汽相反應制造半導體器件的方法其特征在于包括的步驟有：

引入一生產氣體到一真空室;

將所述的生產氣體置于磁場中;

對所說的生產氣體施加一微波，以激勵所述生產氣體和在磁場存在的條件下，給通過分解從所述的生產氣體所產生帶電粒子供能，以及供助于被供能的生產氣體的能量實現硅和鍺的化學汽相反應，隨后，在安置在所述真空室的一襯底上淀積Si_xGe_1-x（0＜X＜1）半導體層。

12、用化學汽相反應制造半導體器件的方法其特征在于包括的步驟有;

引入一生產氣體到一真空室;

將所述生產氣體置于磁場中;

對所述生產氣體施加一微波，以激勵所述生產氣體和在磁場存在的條件下，給通過分解從所述的生產氣體所產生帶電粒子供能，以及

借助于被供能的生產氣體的能量，實現硅和錫的化學汽相反應，隨后，在安置在所述真空室內的一襯底上淀積Si_xSn_1-x（0＜X＜1）半導體層。

13、用化學汽相反應制造半導體器件的方法其特征在于包括的步驟有：

引入一生產氣體到一真空室;

將所述的生產氣體置于磁場中;

對所述的生產氣體施加一微波，以激勵所述生產氣體和在磁場存在的條件下，給通過分解從所述的生產氣體所產生帶電粒子供能，以及

借助于被供能的生產氣體的能量，實現碳和鍺的化學汽相反應，隨后，在安置在所述的真空室內的一襯底上淀積C_xGe_1-x（0＜X＜1）半導體層。