[其他]半導體器件的制造方法和系統

無效

• 申請號: 87104657
• 申請日: 1987-07-04
• 公開（公告）號: CN87104657A
• 公開（公告）日: 1987-12-16
• 發明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/365
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京,杜有文

1、一半導體制造系統包括：

一個具有一共振空間和一反應空間的真空室；

用于把所述共振空間置于一磁場的磁場感應裝置；

用于輸入微波到所述共振空間的一微波源；

用于把生產氣體引入到所述真空室的裝置；以及

用于抽空所述真空室的裝置；

所述的系統其特征在于，所述的抽空裝置是由一個真空泵和渦輪分子泵組成。

2、根據權利要求1所述的系統，其特征在于所述的引入氣體裝置是由輸入非反應氣體到所述共振空間的第一引入系統和輸入反應氣體到所述反應空間的第二引入系統組成。

3、用化學汽相反應制造半導體器件的方法包括的步驟有;

用抽空裝置抽空真空室;

將一生產氣體引入到所述真空室;

將所述生產氣體加到磁場;

施加一微波到所述生產氣體，以激勵所述的生產氣體和在磁場存在的情況下給帶電粒子供能;以及

借助于賦能粒子的能量實現硅和碳的化學汽相反應，隨后將Si_XC_1-X（0＜X＜1）半導體層淀積在放置所述的真空室中的一襯底上;

所述方法其特征在于：所述的化學汽相反應是在一負壓情況下實施的，該負壓由一真空泵和一渦輪分子泵保持在小于10^-2到10^-5托。

4、根據權利要求3的方法，其特征在于所述的反應氣體是一硅烷和甲基硅烷的混合物。

5、根據權利要求4的方法，其特征在于所述的甲基硅烷是二甲基硅烷。

6、根據權利要求5的方法，其特征在于用引入作為一摻雜氣體的硼化合物氣體以將所述的碳化硅半導體形成為P型半導體。

7、根據權利要求6的方法，其特征在于所述的硼化合物氣體是用硅烷氣體稀釋的乙硼烷。