[其他]等離子體加速器法離子鍍膜裝置無效
| 申請號： | 87104730 | 申請日： | 1987-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN87104730A | 公開（公告）日： | 1988-03-30 |
| 發明（設計）人： | 王殿儒;田大準 | 申請（專利權）人： | 北京工業學院 |
| 主分類號： | C23C14/32 | 分類號： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 北京工業學院專利代理事務所 | 代理人： | 付雷杰 |
| 地址： | 北京市海淀區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 加速器 離子 鍍膜 裝置 | ||
【權利要求書】：
1、一種離子鍍膜裝置，其特征在于：它使用帶有圓柱狀永久磁鐵3的霍耳型等離子體加速器11作為蒸發離化源。加速器11的陰極底座4中放入永久磁鐵3，把永久磁鐵3與筒屏蔽8和平面屏蔽9相匹配產生穩定運行所需的磁場分布和鍍膜所要求的粒子的加速度以及粒子分布效果。
2、按權利要求1所述的離子鍍膜裝置，其特征在于：加速器11使用電壓繼電器12自動引弧和維持電弧。
3、按權利要求1所述的離子鍍膜裝置，其特征在于：加速器11中的鍍膜材料1取一定初始凹形。
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