[其他]可裝配多個諧振器濾波器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87105317 | 申請日: | 1987-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN87105317A | 公開(公告)日: | 1988-04-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 斯蒂文R·格林;戴維德M·德幕洛;雷蒙德L·索科拉 | 申請(專利權)人: | 莫托羅拉公司 |
| 主分類號: | H01P1/20 | 分類號: | H01P1/20;H01P7/04 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 鄒光新 |
| 地址: | 美國伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝配 諧振器 濾波器 | ||
1、濾波器具有以下特征:
由介質材料組成的介質裝置,它具有第一表面,第二表面和側表面,所述的介質裝置的第二表面和側表面均牢固地鍍以導電材料;
至少有第一、第二和第三孔,孔面上牢固地鍍以導電材料,所述的導電鍍層從介質裝置的第一表面延伸到介質裝置的第二表面,這些鍍層在介質裝置的第一表面上有截斷空隙,這些截斷空隙按予定的相互間距離配置,并緊密互相交連。
第一和第二耦合裝置,分別與所述的第一孔和第三空耦合;
第一、第二和第三電容裝置,每個裝置包括分別耦合到第一、第二和第三孔的電極裝置,這些電極裝置分別圍繞第一、第二和第三孔的截斷空隙,這些電容裝置用于電容耦合,即從所述的第一孔到所述的第二孔的電容耦合、從所述的第二孔到所述的第三孔的電容耦合以及從所述的孔到所述的介質裝置的側面上的導電鍍層的電容耦合;以及
條狀電極裝置,連接到所述介質裝置的側面上的導電鍍層,所述條狀電極至少局部延伸到兩個所述的孔之間,以調整它們之間的電容耦合。
2、按照權利要求1的濾波器,其中所述的第一和第二耦合裝置進一步由第一和第二電極裝置所表征,第一和第二電極裝置分別配置在介質裝置的頂面上靠近所述的第一孔和第三孔處,并且分別與所述的第一孔和第三孔耦合,其中所述的第一和第二電極裝置,每個裝置包含由所述的導電材料所覆蓋的介質裝置的部分頂面。
3、按照權利要求1的濾波器,進一步以第四電容裝置作為其特征,第四電容裝置具有插在第一和第二電容裝置之間的電極裝置,以及實現(xiàn)第一和第二電容裝置的所述的電極裝置的電容耦合。
4、按照權利要求1的濾波器,進一步以其第四孔為特征,所述的第四孔的孔面上牢固地噴鍍以導電材料,該導電鍍層從介質裝置的第一面延伸到介質裝置的第二表面,該導電鍍層在介質裝置的第一表面上有截斷空隙,該截斷空隙按予定的相對于所述的第三孔的間隔距離配置,并且互相緊密地交連,以及第四電容裝置,它圍繞第四孔的截斷空隙處,以用來實現(xiàn)從所述的第四孔到所述的介質裝置和所述的第二耦合裝置側面上的導電鍍層的電容耦合。
5、多通帶濾波器,用以在天線和第一、第二射頻信號應用裝置之間耦合頻信號,具有以下特征:
a.第一濾波器,包含:
由介質材料組成的介質裝置,它具有第一表面,第二表面和側面,介質裝置的所述的第二表面和側表面均牢固地鍍以導電材料;
至少有第一、第二和第三孔,孔面上牢固地鍍以導電材料,所述的導電鍍層從介質裝置的第一表面延伸到介質裝置的第二表面,這些鍍層在基質裝置的第一表面有截空隙,這些截斷空隙按予定的相對間隔距離配置,并且互相緊密交連。
第一和第二耦合裝置,分別與所述的第一孔和第三孔耦合,所述的第一耦合裝置進一步與第一射頻信號應用裝置耦合;
第一、第二和第三電容裝置,每個裝置包括分別與第一、第二和第三孔耦合的電極裝置,這些電極裝置分別圍繞第一、第二和第三孔的截斷空隙,所述的這些電容裝置用于實現(xiàn)電容耦合,即從所述的第一孔到所述的第二孔的電容耦合、從所述的第二孔到所述的第三孔的電容耦合,以及用于實現(xiàn)從所述的孔到所述的介質裝置的側面上的導電鍍層的電容耦合;和
條狀電極裝置,與所述介質裝置的側面上的導電鍍層相連,所述的條狀電極至少局部地延伸到兩個所述的孔之間,以調整它們之間的電容耦合;
b.第二濾波器,包含:
由介質材料組成的介質裝置,它具有第一表面,第二表面和側表面,介質裝置的所述的第二表面和側表面均牢固地鍍以導電材料;
至少有第一、第二和第三孔,孔表面上牢固地鍍以導電材料,導電鍍層從介質裝置的第一表面延伸到介質裝置的第二表面,這些鍍層在介質裝置的第一表面有截斷空隙,這些截斷空隙按予定的相對間隔距離配置,并且緊密地互相交連。
第一和第二耦合裝置,分別與所述的第一孔和第三孔耦合,所述的第一耦合裝置進一步還與第二射頻信號應用裝置耦合。
第一、第二和第三電容裝置,每個裝置包括分別與第一、第二和第三孔耦合的電極裝置,這些電極裝置分別圍繞第一、第二和第三孔的截斷孔隙,這些電容裝置用于實現(xiàn)電容耦合,即從所述的第一孔到所述的第二孔的電容耦合、從所述的第二孔到所述的第三孔的電容耦合,以及實現(xiàn)從所述的孔到所述的介質裝置的所述側面上的導電鍍層的電容耦合;和
c.在所述的第一濾波器的第二耦合裝置和天線之間進行耦合的第一傳輸線裝置;和
d.在所述的第二濾波器的第二耦合裝置和天線之間進行耦合的第一傳輸線裝置。
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