[其他]壓接觸GTO-可控硅整流器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87105600 | 申請日： | 1987-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN1003203B | 公開（公告）日： | 1989-02-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 安德烈·杰克林;蒂博爾·帕科西;沃爾夫?qū)R默曼 | 申請（專利權(quán)）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/74 | 分類號： | H01L29/74;H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 吳秉芬 |
| 地址： | 瑞士*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接觸 gto 可控 硅整流器 | ||
1、壓接觸GTO-可控硅整流器，包括
a）一個安裝在陰極面同陽極面之間，具有各種不同摻雜層的半導體片（2），
b）所述半導體片（2）至少在陰極面處做成臺面形，并具有由多個凸起的陰極凸臺（7）的柵極-陰極結(jié)構(gòu)，這些陰極凸臺被深處的柵極區(qū)包圍，以及
c）半導體片（2）在其陰極凸臺（7）上總是復蓋著一層金屬化陰極層（6），陽極面處總是復蓋著一層金屬化陽極層;并帶有
d）一個陰極面的片形壓接件和一個陽極面的片形壓接件（1、3），這些片形壓接件被壓在陰極層及陽極層上，以實現(xiàn)接觸連接，其特征在于
e）壓接件（1，3）與半導體片（2）的壓力荷載接觸面上的平面偏差小于±5微米，和
f）壓接件（1，3）相互對準，以使它們中心軸之間的相互偏差小于500微米。
2、按照權(quán)利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，陽極面是平的，并且至少要使陽極面的壓接件（3）在面向半導體（2）的那面上在其邊緣處被削平或銼園。
3、按照權(quán)利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）用鉬或鎢制成。
4、按照權(quán)利要求3的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）與半導體片（2）的平面偏差小于±1微米。
5、按照權(quán)利要求4的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）中心軸之間的相互偏差小于100微米。
6、按照權(quán)利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）的直徑大于20毫米。
7、按照權(quán)利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于
a）陰極凸臺（7）的寬度大于0.1毫米，
b）陰極凸臺（7）的長度大于1毫米，
c）陰極凸臺（7）之間溝深度在5至50微米之間，和
d）陰極凸臺（7）的數(shù)量大于100。
8、按照權(quán)利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于陰極面壓接件（1）的直徑要如此之大，至使壓接件的邊界超出陰極凸臺（7）。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
