[其他]半導體陶瓷合成物和半導體陶瓷電容器

無效

• 申請號: 87105776
• 申請日: 1987-07-28
• 公開（公告）號: CN87105776A
• 公開（公告）日: 1988-02-24
• 發明（設計）人: 小野秀一;板垣秋一;矢作正博;古川喜代志;藤原忍;及川泰仲
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01B3/12
• 分類號: H01B3/12;C04B35/00;H01G4/12;H01L29/95
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌,吳秉芬

1、一種半導體陶瓷合成物，其特征在于，該合成物包含：

一種含SrTiO₃的基本原料；和

一種含Y₃O₃和Nb₂O₅的半導電性添加劑；

所述Y₂O₃和Nb₂O₅的含量各為所述合成物的0.1至0.4克分子%。

2、如權利要求1所述的半導體陶瓷合成物，其特征在于，該合成物還包含MnO，其含量為所述合成物的0.02至0.2克分子%。

3、如權利要求1所述的半導體陶瓷合成物，其特征在于，該合成物還包含SiO₂，其含量為0.01至0.1克分子%。

4、如權利要求2所述的半導體陶瓷合成物，其特征在于，該合成物還包含SiO₂，其含量為0.01至0.1克分子%。

5、如權利要求1所述的半導體陶瓷合成物，其特征在于，所述合成物經過燒結，使Bi出現在所述合成物的晶界上。

6、一種半導體陶瓷電容器，其特征在于，該電容器包括：

一個半導體陶瓷體，由SrTiO₃系統半導體陶瓷合成物制成;

第一導電層，淀積在所述半導電陶瓷體表面，所述第一導電層由主要成分為金屬粉的材料制成，金屬粉系選自由鋅粉和鋁粉組成的料組;和

第二導電層，淀積在所述第一導電層上，所述第二導電層由主要成分為銅粉的材料制成。

7、如權利要求6所述的半導體陶瓷電容器，其特征在于，所述第一和第二導電層是用烘焙法形成的。

8、如權利要求6所述的半導體陶瓷電容器，其特征在于，所述半導體陶瓷合成物含有含SrTiO₃的基本原料和含Y₂O₃和Nb₂O₅的半導電性添加劑，所述Y₂O₃和Nb₂O₅的含量各為所述合成物的0.1至0.4克分子%。

9、如權利要求6所述的半導體陶瓷電容器，其特征在于，該電容器還包含MnO，其含量為所述合成物的0.02至0.2克分子%。

10、如權利要求6所述的半導體陶瓷電容器，其特征在于，該電容器還包含SiO₂，其含量為所述合成物的0.01至0.1克分子%。

11、如權利要求9所述的半導體陶瓷合成物，其特征在于，該合成物還包含SiO₂，其含量為0.01至0.1克分子%。

12、如權利要求6所述的半導體陶瓷電容器，其特征在于，所述合成物經過燒結，以使Bi出現在所述合成物的晶界上。

13、如權利要求6所述的半導體陶瓷電容器，其特征在于，所述第一導電層的材料以鋅為主要成分，而且含有至少一種Ag、Al和Cu金屬。

14、如權利要求13所述的半導體陶瓷電容器，其特征在于，所述包含在所述第一導電層的至少一種金屬是以其簡單物質的形式加入的。

15、如權利要求13所述的半導體陶瓷電容器，其特征在于，所述包含在所述第一導電層的至少一種金屬是以其氧化物的形式加入的。

16、如權利要求6所述的半導體陶瓷電容器，其特征在于，所述第二導電層還包含金屬氧化物。

17、一種制造半導體陶瓷電容器的方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：

往半導電陶瓷表面涂上第一導電糊料，再烘焙所述第一導電糊料，以在所述半導電陶瓷體上形成第一導電層，所述第一導電糊料的主要成分為選自由鋅粉和鋁粉組成的料組的金屬粉;和

往所述第一導電層表面涂上第二導電糊料，再烘焙所述第二導電糊料，以在所述第一導電層上形成第二導電層，所述第二導電糊料的主要成分為銅粉。

18、如權利要求17所述的方法，其特征在于，所述第二導電糊料是在中性或還原性氣氛中烘焙的。