[其他]新型陶瓷結構及其制備方法

無效

• 申請號: 87106232
• 申請日: 1987-09-10
• 公開（公告）號: CN87106232A
• 公開（公告）日: 1988-04-20
• 發明（設計）人: 拉特尼施·K·德威威迪;克里斯托夫·R·肯尼迪
• 申請（專利權）人: 蘭克西敦技術公司
• 主分類號: C04B35/10
• 分類號: C04B35/10;C22C29/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 羅英銘,隗永良

1、一種制備含有第二種多晶陶瓷組分的自支撐陶瓷結構的方法包括如下步驟：

(a)提供含有(i)熔融母體金屬與氧化劑反應生成的多晶氧化反應產物(ii)從陶瓷體一個面或幾個面至少可部分進入的相互連接空隙的自己支撐陶瓷體，

(b)將第二種多晶陶瓷組分至少沉積在部分空隙中生成所謂含有第二種陶瓷組分的陶瓷體。

2、制備含有第二種多晶陶瓷組分的自支撐陶瓷體的方法包括如下步驟：

（a）提供含有（ⅰ）熔融母體金屬與氧化劑反應生成的多晶氧化反應產物和（ⅱ）從陶瓷體一個面或幾個面至少可部分進入的相互連接的空隙的自支撐陶瓷體，

（b）使陶瓷體的一個或幾個面與一定量的陶瓷材料前身相接觸，該材料至少能滲入部分相互連接的空隙，并且

（c）至少部分前體滲入部分相互連接的空隙并影響陶瓷材料使其生成含有第二陶瓷的陶瓷體。

3、根據權利要求1或2，母體金屬取自鋁，硅，鈦，錫，鋯，鉿組成的元素組。

4、根據權利要求1或2，母體金屬是鋁，多晶氧化反應產物主要是氧化鋁。

5、根據權利要求1或2，在所謂第二陶瓷組分滲入之前，相互連接的空隙約為陶瓷體體積的5～45%。

6、根據任一權利要求1或2，所說的第二陶瓷組分包括氧化鉻和二氧化硅。

7、自支撐陶瓷體包括：由熔融金屬與氧化劑生成的多晶氧化反應產物和相互連接的空隙，并且這些空隙至少從陶瓷體的一個或幾個面是可進入的，以及至少沉積在部分空隙中的第二陶瓷組分。