[其他]薄固體膜片組成的層狀結(jié)構(gòu)的局部混合

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 87106894
• 申請(qǐng)日: 1987-10-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN87106894A
• 公開(kāi)（公告）日: 1988-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 約翰·鄧肯·羅爾斯頓;安東尼·盧克·莫雷蒂;拉溫達(dá)·庫(kù)馬·珍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 阿莫科公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/268
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/268
• 代理公司: 中國(guó)專利代理有限公司
• 代理人: 盧新華

1、一種局部混合多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)至少具有兩個(gè)結(jié)構(gòu)層，且包括交替的量子阱層和阻擋層，該方法的特征于，該方法包括下列步驟：

(甲)提供一種多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，各層的厚度在大約5至500埃的范圍內(nèi)，且所述結(jié)構(gòu)至少有一個(gè)表面層是敞露著的；

(乙)用一種適宜提供足以使諸交替層之間混合的能量通量的能源，照射所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)敞露著的表面層的局部區(qū)域；

(丙)回收局部混合過(guò)的半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)的特征是具有在光學(xué)和/或電子性能上與原半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)不同的局部橫向和/或縱向區(qū)域。

2、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一合成超晶格結(jié)構(gòu)。

3、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述量子阱層基本上由砷化鎵組成。

4、如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述阻擋層基本上由化學(xué)式為Al_xGa_1-xAs的砷化鋁鎵組成。

5、如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述分?jǐn)?shù)X選取約0.1至0.5之間的值。

6、如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述量子阱層基本上由Al_0.3Ga_0.7As組成。

7、如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述混合過(guò)的半導(dǎo)體產(chǎn)品構(gòu)的局部區(qū)域本上由Al_0.15Ga_0.85As組成。

8、如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述量子阱層的厚度在大約30至150埃的范圍內(nèi)。

9、如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述量子阱層的厚度約在50至100埃的范圍內(nèi)。

10、如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述阻擋層的厚度約在30至150埃的范圍內(nèi)。

11、如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述阻擋層的厚度約為100埃。

12、如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是在大約0℃至150℃溫度范圍內(nèi)提供的。

13、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多層半導(dǎo)結(jié)構(gòu)是在大體上室溫和常壓條件下提供的。

14、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述能源選自下列種類(lèi)的能源：脈沖激光束，快速掃描激光束，脈沖電子束，快速掃描電子束以及它們的組合能源。

15、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述能源是個(gè)激態(tài)基態(tài)復(fù)合物激光束。

16、如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述激態(tài)基態(tài)復(fù)合物激光束是一個(gè)波長(zhǎng)為248毫微米的氟化氪激光束。

17、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述能源包括脈沖激光束的單脈沖。

18、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述能源包括脈沖激光束的多脈沖。

19、如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述能源包括脈沖氟化氪激光束的單脈沖，所述脈沖的停留時(shí)間約在10至30毫微秒范圍內(nèi)，能量密度約在100至400毫焦/平方厘米范圍內(nèi)。

20、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括兩層結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)是個(gè)單異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

21、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括三層結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)是個(gè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

22、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)交替層中的物質(zhì)含雜質(zhì)原子，以提供一種摻雜超晶格。

23、一種局部混合多層半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中它具有光學(xué)和/或電子性能變化的局部橫向和/或縱向區(qū)域，且系由包括下列各步驟的方法制備的：

（甲）提供多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有至少兩結(jié)構(gòu)層，且包括交替量子阱層和阻擋層，各層的厚度約在5至500埃范圍內(nèi)，所述結(jié)構(gòu)具有至少一敞露的表面層;

（乙）用一種適宜提供足以使諸交替層之間混合的能量通量的能源照射所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)敞露表面層的局部區(qū)域;

（丙）回收局部混合多層半導(dǎo)體產(chǎn)品。

24、如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述方法的步驟選用下列種類(lèi)的能源：脈沖激光束，快速掃描激光束，脈沖電子束，快速掃描電子束，和它們的組合能源。