[其他]一種光電陰極導(dǎo)電基底

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 87106900
• 申請(qǐng)日: 1987-10-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1003897B
• 公開(kāi)（公告）日: 1989-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 牛憨笨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所
• 代理公司: 中國(guó)科學(xué)院西安專利中心
• 代理人: 顧伯勛;謝碧華

提出了一種新的光電陰極導(dǎo)電基底，此種導(dǎo)電基底是通過(guò)在光電陰極玻璃窗上真空鍍鉻１０００厚，用鉻板進(jìn)行光刻，通過(guò)腐蝕，在光電陰極玻璃窗上形成了任意走向的線寬為２～４μｍ的鉻網(wǎng)。這種光電陰極導(dǎo)電基底的面電阻率低于３００μΩ／口，光透過(guò)率大于８０％，并與任何半導(dǎo)體光電陰極相容。由于該導(dǎo)電網(wǎng)鉻走向是隨機(jī)的，光電器件的空間分辨率不受莫爾現(xiàn)象的影響。

本發(fā)明屬于制作超快速光電成象器件的范疇。

超快速光電器件的半導(dǎo)體光電陰極均需制作在導(dǎo)電基底上，要求導(dǎo)電基底的面電阻率小，光透過(guò)率高，與光電陰極相容，且不影響光電成象器件的成象質(zhì)量。現(xiàn)有的導(dǎo)電基底有熱壓金屬網(wǎng)（英國(guó)專利GB1217477），熱壓金屬網(wǎng)導(dǎo)電基底的面電阻率低，其線寬為8μm，與光電陰極相容，但是光透過(guò)率不高，只有40～50%，更主要的是這種導(dǎo)電基底出現(xiàn)的莫爾現(xiàn)象對(duì)光電器件的成象質(zhì)量有很大的影響。

本發(fā)明的目的在于提供一種新的光電陰極導(dǎo)電基底，使之具有面電阻率低，光透過(guò)率高，與光電陰極相容，不影響光電器件成象質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明的要點(diǎn)是，在光電陰極玻璃窗上真空鍍鉻，鍍層厚約1000，采用線寬為4μm的鉻板進(jìn)行光刻，通過(guò)腐蝕和電鍍，在光電陰極玻璃窗上形成任意走向的、線寬為小于3μm的金屬網(wǎng)絡(luò)。

本發(fā)明提出的光電陰極導(dǎo)電基底，先制成放大的任意走向的網(wǎng)絡(luò)圖，再利用精縮的方法制成光刻用的鉻板，其線條寬度約為4μm。然后，在光電陰極玻璃窗上鍍鉻約1000厚，利用上述制成的鉻板對(duì)其進(jìn)行光刻，通過(guò)腐蝕，在光電陰極玻璃窗上形成任意走向的、線寬為2～4μm的鉻網(wǎng)。采用MI白鋼玉微粉對(duì)這種具有任意走向鉻網(wǎng)的光電陰極玻璃窗進(jìn)行清潔處理，以便清除光刻時(shí)殘存的對(duì)光電陰極有毒害的物質(zhì)，獲得一清潔表面。為了減小導(dǎo)電基底的面電阻率，在具有任意走向鉻網(wǎng)的光電陰極玻璃窗上電鍍金。鍍金后所得到的鉻網(wǎng)線寬小于3μm。

按本發(fā)明制得的光電陰極導(dǎo)電基底的面電阻率小于300μΩ/□，光透過(guò)率大于80%，并與任何半導(dǎo)體光電陰極相容。由于其導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)走向是隨機(jī)的，光電器件的空間分辨率不受莫爾現(xiàn)象的影響。

實(shí)施例1

當(dāng)光電陰極導(dǎo)電基底上的尋電鉻網(wǎng)線寬為4μm時(shí)，其面電阻率為20Ω/□，光透過(guò)率為60%。

實(shí)施例2

當(dāng)光電陰極導(dǎo)電基底上的導(dǎo)電鉻網(wǎng)線寬為2μm時(shí)，其面電阻率為200Ω/□，光透過(guò)率大于80%。

實(shí)施例3

在具有線寬為2μm鉻網(wǎng)的光電陰極導(dǎo)電基底上電鍍金，鍍金后得到的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)線寬小于3μm，其面電阻率小于300μΩ/□，光透過(guò)率大于80%。