[其他]離子測量中所用的片狀電極無效
| 申請號: | 87107351 | 申請日: | 1987-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN87107351A | 公開(公告)日: | 1988-06-22 |
| 發明(設計)人: | 小谷晴夫;富田勝彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社堀場制作所 |
| 主分類號: | G01N27/30 | 分類號: | G01N27/30 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 趙蓉民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 離子 測量 所用 片狀 電極 | ||
本發明是關于離子測量中所用的片狀電極。所測離子用以確定pH值之類的離子濃度。
最近,在用于pH值之類的離子濃度測量的電極方面,人們已經制出了類似于片狀的電極,以便使整個電極的結構小型化,降低造價并改善操作和維修。
圖7(A)給出了一種用于測量pH值的片狀組合電極的外觀。該電極已于1986年11月28日由本專利申請人Horiba,Ltd。申請日本專利,圖7(B)給出了圖7(A)的測量電極的一部分?,F在來看圖7(A)和圖7(B)。參照數字61表示一個襯底,做這種襯底的材料即使浸泡在含有電能源的溶液中時仍有足夠高的電絕緣性。參照數字62表示,在所述襯底61的上表面上形成的一個電極,所述電極62是通過把它進行指定的預處理,然后進行絲網印刷銀糊而做成的。所述電極62的一部分用做內電極,上面涂有電極材料,如氯化銀,而所述電極62的其他部分用做引線部分64。
參照數字65指的是支撐層,在它的對應于內電極部分63的位置上有一個穿透孔66,制做該支撐層的材料即使浸泡在含有電解質的溶液中,如聚對苯二甲酸乙二醇酯,仍有足夠高的電絕緣性,所述支撐層65位于襯底61上,而引出線64及其周圍部分暴露在外面。
而且,把園盤形的、膠凝化的內溶體67填入穿透孔66。內溶體67是由把明膠,如瓊脂,和凝膠-蒸發防腐劑如甘油加到基礎內溶液中配制而成的。這種基礎內溶液是由把含磷的酸性緩沖劑加到,例如,含有過飽和氯化銀的3.3摩爾的氯化鉀水溶液中配制而成的。把內溶體67填入穿透孔66的方法是:把它加熱成糊狀,然后進行絲網印刷之類的工序使它的上表面可以在自由的狀態下,稍微凸出于支撐層65的上表面,并且可以重疊在內電極部分63上。
參照數字68指的是一個扁平的板狀響應膜,它的下表面與膠凝化內溶體67的上表面相接觸,而膠凝化內溶體67被封在穿透孔66內。膜68沿著它的周線用膠粘材料69(如硅類、環氧類、氨基甲酸酯類以及含有硅烷結合劑之類的類似系列的有機高分子膠粘劑)牢固地固定在支撐層65上。
另外,參照圖7(A),參照數字70是一個液體接合膜,它是由多孔的無機燒結材料或浸漬了氯化鉀的多孔有機高分子材料做成的。該膜的下表面與其他的膠凝化內溶體的上表面相接觸,而且沿著它的周線把它粘在支撐層65的上表面上。液體膜部分70的內部結構與圖7(B)中給出的測量電極的結構幾乎是相同的。參照數字71指的是樣品溶液的保存器。
由于上面描述的結構,例如,在測量電極中響應膜68、內電極部分63和引線部分64……都是做在襯底1的同一個表面上,因而出現如下缺點。
譬如說,樣品溶液溢出樣品溶液的保存器部分71或者樣品溶液不小心灑出來,結果使樣品溶液粘在引線部分64上……由此使得引線部分64的絕緣性變壞……根據周圍環境。
另外,在響應膜68透光的情況下,會產生如下缺點:外部光線直接入射到內電極部分63上從而使測量受到光的影響。
參考電極也有同樣的問題。
本發明是鑒于上面描述的問題而完成的。其目的在于提供一種離子測量中所用的片狀電極,該電極能用來準確地完成測量而不會由于操作失誤之類的差錯導致電絕緣性變壞,也不受光的影響。
為了達到上述目的,根據本發明,一種用于離子測量的片狀電極具有如下特征:在一個襯底的上表面上制成第一個支撐層,制造該支撐層的材料具有足夠高的電絕緣性,而且該襯底也是由具有足夠高的電絕緣性的材料做成的。把一個具有內電極部分和引線部分的電極膠粘在所述襯底的下表面,用具有足夠高的電絕緣性材料制的第二個支撐層做在上述襯底的下表面并使上述引線部分暴露在外面。
在本發明中,一個選擇性的離子響應膜或液體接合部分在襯底的上表面一側與樣品溶液接觸,襯底是由具有足夠高的電絕緣性的材料制成的,而內電極部分和引線部分做在襯底的下表面一側,這樣可以充分利用上述襯底的絕緣性,而且也能夠避免發生在引線部分由于操作失誤之類的差錯造成的電絕緣性變壞。
另外,甚至在測量電極的離子響應膜是透光的這種情況下,外部光被襯底擋住,因而能夠防止光線直接入襯到內電極部分。
圖1到圖4給出了一種最佳實施方案,其中:
圖1是本發明中所用的用來測量pH值的片狀電極的分解透視圖。
圖2是圖1中所示的片狀電極的外觀透視圖。
圖3是部分地建立起來的剖面圖。
圖4是沿其Ⅳ-Ⅳ標線所取的圖2的剖面圖。
圖5是本發明另一個最佳實施方案的剖面圖。
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