[其他]集成雙板晶體管的集電極接觸

無效

• 申請號: 87107369
• 申請日: 1987-12-11
• 公開（公告）號: CN87107369A
• 公開（公告）日: 1988-06-29
• 發明（設計）人: 洛薩·布洛斯弗爾德;克里斯托夫·沃爾茨
• 申請（專利權）人: 德國ITT工業有限公司
• 主分類號: H01L21/88
• 分類號: H01L21/88
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 趙越

1、集成雙極晶體管的集電極接觸，其一種導電類型的集電極區是在另一導電類型的片狀半導體硅襯底的一主表面上絕緣，與單塊集成固體電路的其余器件相絕緣，這是通過完全圍繞集電極區(1)的溝槽3完成的，其特征在于：

上述集電極區(1)的集電極接觸(6)設置在上述溝槽(3)的側壁上，并包含具有上述集電極區(1)的導電類型的摻雜劑的一層多晶硅，

上述集電極(6)復蓋了上述集電極區(1)的導電類型的高摻雜的接觸區(7′)，

上述溝槽(3)的底表面復蓋了一層二氧化硅(8)，

上述溝槽(3)的深度至少等于上述集電極區(1)的厚度。

2、如權利要求（1）中的集電極接觸，其特征在于：

在上述二氧化硅層（8）的下面直接設置一摻雜多晶硅的導體引線（12），依次，設置另一二氧化硅層（8′）與上述二氧化硅層（8）一起圍繞上述導體引線（12），存在于上述溝槽（3）的底表面（圖9）。

3、如權利要求（1）或（2）中所要求的一種制造集電極接觸的方法，其特征為下述處理步驟：

（a）在另一導電類型的半導體襯底（2）的主表面上形成導電的單晶硅層，用各向異性腐蝕穿透上述硅層而形成溝槽（3），上述集電極區的邊緣部分被暴露出;

（b）在半導體襯底（2）主表面的表面部分包括上述溝槽（3）的表面部分用熱生長的氧化物層（4）復蓋，它包括側壁二氧化物層（7）和在其上淀積的氮化硅層（4′）;

（c）下一步進行各向異性的氮化物的腐蝕工藝，通過該工藝去除了在上述溝槽（3）的側表面和底表面上的氮化硅層（4′）的未掩蔽部分;

（d）然后進行氧化物腐蝕，用于暴露出氧化物層的非掩蔽部分，通過此工藝暴露出上述溝槽（3）的底表面和主表面的未掩蔽部分;

（e）之后，將襯底的導電類型離子注入到半導體表面的暴露的部分，在上述溝槽（3）的底表面上，當激活時，同時形成了溝道-阻礙區（9）和雙極晶體管的基極區（5，5′）;（圖4）

（f）上述步驟之后，然后進行熱氧化，這樣在上述溝槽（3）的底表面且暴露的硅上形成了一絕緣層（8），其厚度超過側壁二氧化物層（7）的厚度（圖5）;

（g）然后進行氮化物腐蝕，用腐蝕除去側壁上較薄的二氧化物層（7），基本上保留了上述溝槽（3）底上的絕緣層（8）（圖6）;

（h）之后，淀積含有集電極區的導電類型的摻雜劑的多晶硅層;

（i）然后，經過各向異性腐蝕，除去了在上述溝槽（3）的底表面和上述主表面上未掩蔽的區域中摻雜的多晶硅，這樣在其后的高溫處理過程中形成了集電極接觸，復蓋了集電極區的導電型的相鄰的接觸區（7′）。

4、如權利要求3中所述的方法，其特征為下列工藝步驟：

b′）緊接處理步驟b），用掩蔽層（M1）將集電極區（41）掩蔽，這樣以保護該區不被腐蝕;

c′）而后接處理步驟c）和d），上述溝槽（3）的底表面以及發射極區（41）的周圍和集電極接觸區（12）的周圍（圖3）;

d′）去除掩蔽層（M1）;

e′）之后，在處理步驟e）的過程中，以隨意或任意樣的次序，將襯底導電型的離子一次以初始加速電壓注入，使得包括氧化物層（4）和氮化物層（4′）的層序被穿透，在另一時間，以第二次加速電壓使得上述層序（4，4′）在上述發射極區（41）和上述集電極-接觸區（12）生效;

f′）之后，進行熱氧化步驟，這樣，在上述溝槽（3）的底表面及發射極區（41）的外側，以及上述集電極接觸區（12）的外側（圖5）分別形成了絕緣層（8，81）;

g′）進行處理步驟g），在此過程中，除了在上述溝槽（3）的底上的絕緣層（8）外，保留了在發射極區（41）及集電極接觸區（12）（圖6）的外邊形成的絕緣層（81）;

h′）下面在仍然存在的層序（4，4′）去除之后，接處理步驟h），淀積了上述多晶硅層;

i′）處理步驟i）是通過采用腐蝕掩膜（M2）進行的，在主表面上確定了集電極（6）的接觸區（6′）和發射極電極（（10）它重迭了在上述發射極區（41）之外形成的絕緣區（81），這樣在下面的高溫處理過程中的形成了脫離了與接觸區（7′）相接的集電極接觸（6，6′），和與發射極區（11）相接的發射極電極（10）。