[其他]硅酯和金屬氧化物的多層陶瓷涂層

無效

• 申請號: 87107417
• 申請日: 1987-12-29
• 公開（公告）號: CN87107417A
• 公開（公告）日: 1988-08-17
• 發明（設計）人: 洛倫·安德魯·哈魯斯卡;凱斯·溫頓·邁克爾;萊奧·塔爾哈
• 申請（專利權）人: 陶氏康寧公司
• 主分類號: C04B41/46
• 分類號: C04B41/46;C04B41/52;C07F7/10;C08G77/04;B05D3/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 張金熹

1、一種在基板上形成多層的陶瓷或陶瓷類涂層的方法，包括：

(I)(A)用平面化涂層涂覆電子器件，方法是，用一溶劑稀釋水解的或部分水解的硅酸酯和金屬氧化物前體的預陶瓷混合物，金屬氧化物前體從含有烷氧基鋁，烷氧基鈦和烷氧基鋯這一組中選出，把稀釋了的預陶瓷混合物溶液涂覆到電子器件上；(B)干燥稀釋了的預陶瓷混合物溶液，使溶劑揮發掉，從而在電子器件上沉積下一預陶瓷涂層；(C)使預陶瓷涂層陶瓷化成二氧化硅和金屬氧化物，做法是，加熱已涂器件至200和1000℃之間的一溫度上，從而產生陶瓷或陶瓷類的平面化涂層；

(Ⅱ)在陶瓷或陶瓷類平面化涂層上涂覆鈍化涂層，該鈍化涂層是從包括(i)含氮硅涂層，(ii)含碳硅涂層和(iii)含氮硅碳涂層這一組中選出；其中，把含氮硅涂層涂加到電子器件的平面化涂層上，采用的方法是從下面的這一組中選出：(a)硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在有氨存在情況下的化學蒸汽沉積，(b)硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在有氨存在情況下的等離子增強化學蒸汽沉積，(c)使硅和含氮預陶瓷聚合物陶瓷化；和其中，把含氮硅碳涂層涂覆到已涂陶瓷或陶瓷類的電子器件上，采用的方法是從下面的這一組中選出：(1)六甲基乙硅氮烷的化學蒸汽沉積，(2)六甲基乙硅氮烷的等離子增強化學蒸汽沉積，(3)硅烷，烷基硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在有含一至六個碳原子的烷烴或烷基硅烷以及氨存在情況下的化學蒸汽沉積，(4)硅烷，烷基硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在含一至六個碳原子的烷烴或烷基硅烷以及氨存在情況下的等離子增強化學蒸汽沉積；其中，采用從下面的這一組中選出的方法來沉積含碳硅涂層(i)硅烷，烷基硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在有含一至六個碳原子的烷烴或烷基硅烷存在情況下的化學蒸汽沉積和(ii)硅烷，烷基硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在有含一至六個碳原子的烷烴或烷基硅烷存在情況下的等離子增強化學蒸汽沉積，從而產生鈍化涂層；以及；

(Ⅲ)把從下面的這一組中選出的含硅涂層涂覆到鈍化涂層上：(i)硅涂層，(ii)含碳硅涂層，(iii)含氮硅涂層，和(iv)含氮硅碳涂層；其中，采用從下面的這一組中選出的方法來向鈍化涂層涂加硅涂層：(a)硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物的化學蒸汽沉積，(b)硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物的等離子增強化學蒸汽沉積，或(c)硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物的金屬輔助化學蒸汽沉積；其中，采用從下面的這一組中選出的方法來涂加含碳硅涂層：(1)硅烷，烷基硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在有含一至六個碳原子的烷烴或烷基硅烷存在情況下的化學蒸汽沉積，(2)硅烷、烷基硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在有含一至六個碳原子的烷烴或烷基硅烷存在情況下的等離子增強化學蒸汽沉積；其中，采用從下面的這一組中選出的方法來沉積含氮硅涂層：(A)硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在有氨存在情況下的化學蒸汽沉積，(B)硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在有氨存在情況下的等離子增強化學蒸汽沉積，和(C)硅和含氮預陶瓷聚合物的陶瓷化；其中，采用從下面的這一組中選出的方法來沉積含氮硅碳涂層；(i)六甲基乙硅氮烷的化學蒸汽沉積，(ii)六甲基乙硅氮烷的等離子增強化學蒸汽沉積，(iii)硅烷，烷基硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在有含一至六個碳原子的烷烴或烷基硅烷以及氨存在情況下的化學蒸汽沉積，和(iv)硅烷，烷基硅烷，囟硅烷，囟乙硅烷，囟聚硅烷或其混合物在有含一至六個碳原子的烷烴或烷基硅烷以及氨存在情況下的等離子增強化學蒸汽沉積，以產生出含硅涂層，由此在電子器件上獲得了多層陶瓷或陶瓷類涂層。