[其他]固態(tài)電解電容及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87107675 | 申請日: | 1987-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN87107675A | 公開(公告)日: | 1988-05-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 內(nèi)藤一美;荒川美明;渡部晴義 | 申請(專利權(quán))人: | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號: | H01G9/00 | 分類號: | H01G9/00;H01G9/24 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 付霞 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固態(tài) 電解電容 及其 制備 方法 | ||
1、一種固態(tài)電解電容器包括:一個由具有閥門作用的金屬構(gòu)成的正電極基片;一層絕緣氧化膜;一個半導體層和一個導電層,把它們按順序形成在正電極基片上,其特征在于導電層是主要由金屬氧化物粉末和金屬粉末構(gòu)成的糊狀物層。
2、根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)電解電容器,其中金屬氧化物粉末對金屬粉末的重量比是從1/6到6。
3、根據(jù)權(quán)利要求1或2的固態(tài)電解電容器,其中的半導體層主要由二氧化鉛構(gòu)成。
4、根據(jù)權(quán)利要求1或2的固態(tài)電解電容器,其中半導體層主要由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成。
5、根據(jù)權(quán)利要求1到4中任何一個的固態(tài)電解電容器,其中金屬氧化物粉末是二氧化鉛粉末。
6、根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)電解電容器,其中導電層是主要由金屬氧化物粉末、金屬鹽粉末和金屬粉末構(gòu)成的糊狀物層。
7、根據(jù)權(quán)利要求6的固態(tài)電解電容器,其中金屬氧化物粉末和金屬鹽粉末的總量對金屬粉末的重量比是1/6到6,在金屬氧化物和金屬鹽粉末總量中,金屬鹽粉末可達重量的70%。
8、根據(jù)權(quán)利要求6或7的固態(tài)電解電容器,其中半導體層主要由二氧化鉛構(gòu)成,導電層至少包含作為金屬氧化物的二氧化鉛和作為金屬鹽的硫酸鉛。
9、根據(jù)權(quán)利要求6或7的固態(tài)電解電容器,其中半導體層主要由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成,導電層至少包含作為金屬氧化物的二氧化鉛和作為金屬鹽的硫酸鉛。
10、一種制備固態(tài)電解電容器的方法包括,在由具有閥門作用的金屬構(gòu)成的正電極基片上按順序形成一層絕緣氧化膜,一層半導體層和一層導電層,其特征在于對形成的絕緣氧化膜上的半導體層的表面進行超聲波清洗,在清洗過的半導體層的表面上形成主要由金屬氧化物粉末和金屬粉末構(gòu)成的糊狀物層作為導電層。
11、根據(jù)權(quán)利要求10的制備固態(tài)電解電容器的方法,其中半導體層主要由二氧化鉛構(gòu)成。
12、根據(jù)權(quán)利要求10的制備固態(tài)電解電容器的方法,其中半導體層主要由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成。
13、根據(jù)權(quán)利要求10到12的制備固態(tài)電解電容器的方法,其中金屬氧化物粉末是二氧化鉛粉末。
14、根據(jù)權(quán)利要求10的制備固態(tài)電解電容器的方法,其中導電層是由金屬氧化物粉末、金屬鹽和金屬粉末構(gòu)成的糊狀物層。
15、根據(jù)權(quán)利要求14的制備固態(tài)電解電容器的方法,其中金屬氧化物和金屬鹽粉末的總量對金屬粉末的量的重量比是1/6到6,在金屬氧化物和金屬鹽粉末總量中金屬鹽粉末可達重量的70%。
16、根據(jù)權(quán)利要求14或15的制備固態(tài)電解電容器的方法,其中半導體層主要由二氧化鉛構(gòu)成,導電層至少包括作為金屬氧化物的二氧化鉛和作為金屬鹽的硫酸鉛。
17、根據(jù)權(quán)利要求14或15的制備固態(tài)電解電容器的方法,其中半導體層主要由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成,導電層至少包括作為金屬氧化物的二氧化鉛和作為金屬鹽的硫酸鉛。
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