[其他]成型單晶體生長(zhǎng)設(shè)備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87108007 | 申請(qǐng)日: | 1987-11-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN87108007A | 公開(公告)日: | 1988-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 德米特里·亞科萊維奇·克拉維斯基;萊夫·馬科維奇·薩圖洛斯基;萊奧尼德·彼特羅維奇·埃格羅夫;伯里斯·本特斯諾維奇·彼茨;萊奧尼德·薩穆洛維奇·庫(kù)奧恩;埃弗姆·阿萊克桑德羅維奇·弗里曼;維克托·瓦希利維奇·阿維亞諾夫;阿萊克桑德·沃維奇·阿利少夫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 全蘇電熱工設(shè)備科研設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和工藝所 |
| 主分類號(hào): | C30B15/00 | 分類號(hào): | C30B15/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人: | 薛明祖 |
| 地址: | 蘇聯(lián)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 成型 單晶體 生長(zhǎng) 設(shè)備 | ||
1、一種難熔光學(xué)透明金屬化合物成型單晶體生長(zhǎng)設(shè)備,它有一個(gè)密封室(1),室內(nèi)有一個(gè)帶杯形加熱器(3)的絕熱裝置(2),加熱器內(nèi)有一坩鍋(5),坩鍋可沿杯形加熱器軸線往復(fù)移動(dòng)。圓柱形成形器(6)有毛細(xì)管型通孔,用以將熔融物(11)自坩鍋(5)輸送至單晶體(7)的結(jié)晶區(qū)(14)。結(jié)晶區(qū)位于成形器(6)上端(13)上方,成形器上端形狀與生長(zhǎng)的單晶體(7)的橫截面相同,位置在加熱器(3)上緣(4)下面。還有平板式隔熱板(23),水平裝設(shè),上面有同軸孔(25),用以通過(guò)生長(zhǎng)的單晶體(7)。這種設(shè)備的特征為:它有一個(gè)附加的空心圓筒形隔熱板(24),裝在平板式隔熱板(23)的孔(25)內(nèi),與孔同心。
2、按權(quán)利要求1所述之成型單晶體生長(zhǎng)設(shè)備,其特征為:空心圓筒高度為成形器(6)上端(13)與加熱器(3)上緣(4)之間距離的1至1.6倍,其厚度為0.1至0.15倍,其外徑為成形器(6)上端(13)外圓直徑的1.5至2.0倍。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于全蘇電熱工設(shè)備科研設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和工藝所,未經(jīng)全蘇電熱工設(shè)備科研設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和工藝所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://m.szxzyx.cn/pat/books/87108007/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動(dòng)設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





