[其他]定型單晶的生長方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87108014 | 申請日： | 1987-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN87108014A | 公開（公告）日： | 1988-06-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 米特里·亞科夫利維奇·克拉維斯基;利夫·馬科維奇·薩圖洛斯基;利奧尼德·彼特羅維奇·埃格羅;伯里斯·本希奧諾維奇·彼爾茨;萊奧尼德·薩穆洛維奇·奧康;埃費姆·阿萊克桑德羅維奇·弗里曼;維克托爾·瓦希利維奇·阿沃亞諾;阿萊克桑德·沃維奇·阿利壽夫 | 申請（專利權(quán)）人： | 全蘇電熱工設(shè)備科研;設(shè)計;結(jié)構(gòu)和工藝所 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 唐躍 |
| 地址： | 蘇聯(lián)*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 定型 生長 方法 | ||
1、高熔點的光學透明的金屬化合物定型單晶的生長方法，其要點如下：將相應(yīng)的高熔點的金屬化合物原料在惰性氣體的氣氛中，利用加熱器(7)所釋放的熱能使之熔化，令晶種(14)在結(jié)晶區(qū)(16)內(nèi)呈微熔狀態(tài)，進而讓單晶(3)長大，并將其從結(jié)晶區(qū)(16)拉制成符合所需的長度，其間須通過成型器(4)的毛細系統(tǒng)，并變換加熱器(7)的功率，將熔體(12)連續(xù)不斷地輸送到結(jié)晶區(qū)(16)中去，然后，使單晶(3)脫離熔體(12)并進行冷卻，本方法的特征在于，在原料熔化之前，須往結(jié)晶區(qū)(16)內(nèi)加入1顆控溫的原料粒，當這顆控溫粒開始熔化之時，將加熱器(7)的功率P記錄下來，原料熔化過程中加熱器(7)的功率為(1.04-1.1)P，晶種(14)呈微熔化態(tài)時，加熱器(7)的功率為(1.03-1.08)P，單晶(3)長大過程中，加熱器(7)的功率為(1.02-1.08)P，從結(jié)晶區(qū)(16)拉制單晶(3)的過程中，加熱器的功率為(1.02-1.22)P，而單晶(3)的冷卻過程則是通過降低加熱器(7)的功率進行的，冷卻速度為每分鐘20-30℃，直至溫度降到1600-1550℃時，便將加熱器(7)的電源切斷。
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