[其他]寬量程半導(dǎo)體真空計(jì)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 87200798
• 申請(qǐng)日: 1987-02-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN87200798U
• 公開(kāi)（公告）日: 1987-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李自鵬;錢(qián)三德;王先路;陳立仁;黃錫森
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥工業(yè)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G01L21/10
• 分類(lèi)號(hào): G01L21/10;G01L21/00
• 代理公司: 機(jī)械工業(yè)部專(zhuān)利代理服務(wù)處
• 代理人: 孫文彩

1、一種由半導(dǎo)體真空規(guī)管(G)和控制電路(L)構(gòu)成的寬量程半導(dǎo)體真空計(jì)，其特征是：

(1)、規(guī)管(G)中封裝有由PN結(jié)(2)電阻網(wǎng)絡(luò)(3)及歐姆結(jié)(4)構(gòu)成的硅單晶芯片(1)和PN結(jié)補(bǔ)償二極管(7)；

(2)、控制電路(L)由測(cè)量橋路(L1)、信號(hào)放大電路(L2)和信號(hào)補(bǔ)償電路(L3)組成，PN結(jié)補(bǔ)償二極管(7)為測(cè)量橋路(L1)的一只橋臂。

2、按權(quán)利要求1所述的寬量程半導(dǎo)體真空計(jì)，其特征是規(guī)管（G）中硅單晶芯片（1）上的電阻網(wǎng)絡(luò)（3）的阻值為100－1000歐姆。

3、按權(quán)利要求1所述的寬量程半導(dǎo)體真空計(jì)，其特征是規(guī)管（G）中硅單晶芯片（1）的擴(kuò)硼濃度為10¹⁹原子／厘米³，擴(kuò)磷濃度為10²¹原子／厘米³。

4、按權(quán)利要求1所述的寬量程半導(dǎo)體真空計(jì)，其特征是PN結(jié)補(bǔ)償二極管（7）被封裝在規(guī)管（G）中，且性能與硅單晶芯片（1）上的PN結(jié)（2）相同。