[其他]MOS柵控橫向晶閘管

無效

• 申請號: 87209110
• 申請日: 1987-06-10
• 公開（公告）號: CN87209110U
• 公開（公告）日: 1988-06-08
• 發明（設計）人: 謝世健;張會珍;朱靜遠
• 申請（專利權）人: 南京工學院
• 主分類號: H01L29/68
• 分類號: H01L29/68
• 代理公司: 南京工學院專利事務所
• 代理人: 樓高潮,沈廉

1、一種新型結構的晶閘管，由PNPN四層結構組成，其特征在于組成晶閘管的PNPN層為橫向結構，采用MOS管和雙極型晶體管復合構成，MOS管的源、漏區和雙極型晶體管的發射區及收集區組成橫向晶閘管的四層結構，其中MOS管的漏區與雙極型晶體管的基區為公用區。

2、根據權利要求1所述的晶閘管，其特征在于晶閘管由PMOS管和NPN雙極型晶體管復合構成。

3、根據權利要求1所述的晶閘管，其特征在于晶閘管由NMOS管和PNP雙極型晶體管復合構成。

4、根據權利要求1或2所述的晶閘管，其特征在于晶閘管采取漂移區和場極板結構，即PMOS柵控管漏區和雙極型晶體管N^＋PN^－基區的公用區P^－采用離子注入形成輕摻雜的漂移區，而且在漂移區上面設置了延伸的源場極板和由MOS管柵電極的延伸形成柵場極板。

5、根據權利要求4所述的晶閘管，其特征在于PMOS管的溝道長度L＝（10～20）微米，溝道寬長比（W／L）＝（200～1000），漂移區長度L_R＝（50～70）微米，源場極板長度L_sf＝（30～40）微米，柵場極板長度L_s′f＝（12～18）微米。