[其他]一種微氮低氧化碳直拉硅單晶的制備方法

無效

• 申請號: 88100307
• 申請日: 1988-01-20
• 公開（公告）號: CN88100307A
• 公開（公告）日: 1988-07-27
• 發明（設計）人: 李立本;闕端麟
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B27/02
• 代理公司: 浙江大學專利代理事務所
• 代理人: 連壽金

1、一種微氮低氧低碳直拉硅單晶的制備方法，包括外加磁場為1000～5000高斯，坩堝轉速為5～20轉/分，坩堝內多晶投料量為20～60kg，晶體轉速為10～30轉/分，拉速為0.8～1.5毫米/分，晶體直徑為2″～6″，其特征在于采用99.99%以上的氮氣或氬-氮混合氣作為保護氣體，爐內氣體壓力為5～80托，氣體流量為4～16m³/hr。

2、根據權利要求1所述的硅單晶的制備方法，其特征在于爐內氣體壓力的最佳值為15～25托。

3、根據權利要求1所述的硅單晶的制備方法，其特征在于拉制直徑為3″硅單晶時，氣體最佳流量為4～6m³/hr。

4、根據權利要求1所述的硅單晶的制備方法，其特征在于拉制直徑為4″硅單晶時，氣體最佳流量為5～8m³/hr。

5、根據權利要求1所述的硅單晶的制備方法，其特征在于拉制直徑為5″硅單晶時，氣體最佳流量為7～10m³/hr。

6、根據權利要求1所述的硅單晶的制備方法，其特征在于拉制直徑為6″硅單晶時，氣體最佳流量為9～12m³/hr。

7、根據權利要求1所述的硅單晶的制備方法，其特征在于采用氬-氮混合氣作為保護氣體，其中氬氣成份為2～10%，氮氣成份為98～90%。