[其他]陰極電弧源離子滲金屬技術(shù)及設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 88100549
• 申請日: 1988-02-11
• 公開（公告）號: CN88100549A
• 公開（公告）日: 1988-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王福貞;周友蘇;劉文郁
• 申請（專利權(quán)）人: 北京聯(lián)合大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院機(jī)電技術(shù)開發(fā)服務(wù)公司
• 主分類號: C23C10/00
• 分類號: C23C10/00;C23C14/32
• 代理公司: 鐵道部科技情報所鐵路專利咨詢服務(wù)中心
• 代理人: 羅迎難

1、在真空高溫狀態(tài)下對工件(10)進(jìn)行等離子體滲金屬的技術(shù)和設(shè)備：

①其技術(shù)特征是采用陰極電弧蒸發(fā)器(14)作離子滲金屬時的蒸發(fā)源、離化源和加熱源，利用低氣壓弧光放電產(chǎn)生高密度金屬離子流，同時對工件(10)提高負(fù)偏壓，提高金屬離子到達(dá)工件(10)的能量，以此對被處理工件(10)表面形成滲層的技術(shù)；

②其設(shè)備特征是裝有一個或多個陰極電弧蒸發(fā)器(14)，并配置適量的支架(1)、機(jī)械泵(2)、擴(kuò)散泵(3)、底盤(4)、真空室(5)、觀察窗(6)、負(fù)偏壓電源(7)、陰極夾具(8)、絕緣密封件(9)(13)、進(jìn)氣裝置(11)、源極靶材(12)、弧源電源(15)、引弧電極(16)等裝置的組合形成的設(shè)備。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子滲金屬技術(shù)，其特征是陰極電弧蒸發(fā)器（14）在工作時處于水冷卻狀態(tài)，它產(chǎn)生低氣壓場致發(fā)射型弧光放電，電壓范圍是16～30V，放電電流范圍50～200A。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子滲金屬技術(shù)，其特征是工件（10）的工作負(fù)偏壓范圍500～2000V，工作溫度范圍800～1400℃。

4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子滲金屬技術(shù)，其特征是真空室的工作氣壓范圍是10^-5～10^-1torr。

5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子滲金屬設(shè)備，其特征是陰極電弧蒸發(fā)器（14）是磁控式的或氣控式的。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子滲金屬設(shè)備，其特征是弧源電源是直流式的，負(fù)偏壓電源（7）是直流式的或脈沖式的。

7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子滲金屬設(shè)備，其特征是真空室（5）的形狀是箱形的或筒形的或球形的，其結(jié)構(gòu)是單間室的或是多間室的。