[其他]可擦除光盤和光信息錄放裝置無效
| 申請號: | 88100791 | 申請日: | 1988-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN88100791A | 公開(公告)日: | 1988-09-14 |
| 發明(設計)人: | 佐藤勲;一之瀨亮;福島能久;黑木 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | G11B7/00 | 分類號: | G11B7/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 程天正,葉凱東 |
| 地址: | 日本大阪*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 擦除 光盤 信息 錄放 裝置 | ||
本發明涉及光盤和光信息錄放裝置,特別是利用照射激光反復錄放信息的可擦除光盤和用可擦除光盤錄放信息的光信息錄放裝置。
圖8是光盤的相變化記錄介質的非結晶狀態A和結晶狀態C的相變化的一個例子,介質利用反射率小的非結晶狀態A和反射率大的結晶狀態C記錄信號。信號通過將處于結晶狀態C的部分的溫度局部地升高到融點附近后,使之急劇冷卻成為非結晶狀態A而被記錄下來;信號又通過將介質的溫度局部地升高到融點附近后,使之慢慢地冷卻,將光束照射部分變為結晶狀態C時被擦除。
圖9是用來說明利用錄放光束和擦除光束記錄和擦除信號的記錄擦除原理圖。圖9(a)是介質實現升溫驟冷條件和升溫漸冷條件的光束的結構,圖9(b)是該光束的光強分布。在圖9中,23是微米數量級的短徑錄放光束;23a是錄放光束23的光強分布;24是幾微米至十幾微米的長徑擦除光束;24a是擦除光束24的光強分布;25是蒸鍍上了記錄介質的導引光道。利用光束的徑長和光強分布的差別,用短徑形成升溫驟冷條件,用長徑形成升溫漸冷條件。
利用一定強度的擦除光束24照射導引光道25的信息部分,由比錄放光束23先行的擦除光束24將以前記錄在該信息部分的信號擦除,然后由錄放光束23記錄數據。
但是,在上述結構中,錄放光束23和擦除光束24必須處于同一導引光道上。通常,錄放光束23和擦除光束24分別由不同的半導體激光光束構成圖9(a)所示的情況。
這樣一來,由于靠機械精度使錄放光束23和擦除光束24位于同一導引光道上很困難,因此對擦除光束也必須進行與錄放光束相同的跟蹤伺服控制。但是,對擦除光束進行跟蹤伺服控制時,跟蹤傳動裝置在光盤的徑向有2~3微米的可動范圍,所以,開動伺服控制時,不能保證擦除光束24跟蹤在與錄放光束23相同的導引光道25上。于是,便會錯把相鄰的光道擦除。另外,當由于振動和沖擊等引起光束跳軌時,也會發生同樣的問題。
有鑒于此,本發明的目的旨在提供一種能檢測錄放光束與擦除光束是否位于同一光道和保證錄放光束與擦除光束位于同一光道、并且當沒有位于同一光道時能立即停止其擦除和記錄功能的光盤和光信息錄放裝置。
本發明的光盤具有記錄扇段地址信息的扇段標識符、記錄信息的數據段和位于標識符與數據段之間的可識別擦除光束位于相鄰光道的標記信號;本發明的光信息錄放裝置包括順序照射擦除光束和錄放光束的照射裝置、利用錄放光束錄放信息的錄放裝置、利用擦除光束擦除信息的擦除裝置和利用擦除光束再生和檢測標記信號的標記信號檢測裝置。
按上述結構構成的本發明的光盤利用擦除光束檢測標記信號,從而可以檢測擦除光束與錄放光束是否位于同一光道上;擦除裝置依靠標記信號檢測裝置是否檢測到標記信號來判斷擦除光束的位置,從而可以防止發生錯把相鄰光道的數據擦除的現象,并且還可以保證擦除光束與錄放光束位于同一光道上。
圖1是本發明的一個實施例中光盤的扇段格式的結構圖,圖2是圖1的標記信號M1和M2的實施例的說明圖,圖3是采用本發明的光盤的光信息錄放裝置第一個實施例的框圖,圖4是圖3各部分的信號波形圖,圖5是采用本發明的光盤的光信息錄放裝置的第二個實施例的框圖,圖6是本發明的光信息錄放裝置的第三個實施例的框圖,圖7是圖6各部分的信號波形圖,圖8是相變化記錄介質的非結晶狀態A和結晶狀態C的相變化圖,圖9是說明記錄和擦除原理的圖。
圖1是本發明的一個實施例中光盤的扇段格式的結構圖,圖1(a)是光道地址為奇數的扇段格式,圖1(b)是光道地址為偶數的扇段格式。
在圖1中,ID是記錄扇段地址信息的扇段標識符;DF是記錄數據的數據段;M1和M2是表示可用擦除光束檢測的光道地址為奇數或偶數的標記信號;G11和G12是為了識別標記信號M1和M2的長度分別為T1和T2的間隙;G21、G22和G3分別是為了適應激光輸出的過渡響應時間或光盤的轉速誤差等時間差所設的間隙。
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