[其他]半導(dǎo)體元件制造工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 88100817
• 申請日: 1988-02-11
• 公開（公告）號: CN88100817A
• 公開（公告）日: 1988-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉利·德勞希;奧托·庫恩
• 申請（專利權(quán)）人: BBC勃朗·勃威力有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;B24B3/24
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 吳秉芬,程天正

1、制造半導(dǎo)體元件，尤其是制造大功率半導(dǎo)體元件的方法是用機械方式從一塊晶片(1)上至少切下一塊面積較小的元件襯底(2)，這種方法的特點是，元件襯底(2)為圓形，是用空心鉆(4)從晶片(1)上切下的。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的方法的特點是，從一塊晶片（1）上同時可切下若干塊規(guī)格相同和/或規(guī)格不同的元件襯底（2）。

3、根據(jù)權(quán)利要求1的方法的特點是，切割是在晶片（1）經(jīng)過為制造元件所必需的各種熱加工過程之后進行的。

4、根據(jù)權(quán)利要求1的方法的特點是，所用的空心鉆（4）鉆頭（1）的內(nèi)側(cè)面為斜面，并且，在切下元件襯底時亦可同時在元件襯底的邊沿上切好為反向電壓較高的元件所需要的邊沿斜面。

5、根據(jù)權(quán)利要求1的方法的特點是，所用空心鉆（4）是一種粒度為25微米，密度為100（4.4克拉/立方厘米）的金屬粘結(jié)的金剛石鉆。

6、根據(jù)權(quán)利要求5的方法的特點是，空心鉆（4）從內(nèi)外兩側(cè)進行冷卻，尤其是冷卻劑是通過鉆內(nèi)的冷卻劑輸入通道（9）送入的。

7、根據(jù)權(quán)利要求6的方法的特點是，冷卻劑用的是摻有防銹添加劑的水。

8、根據(jù)權(quán)利要求1的方法的特點是，晶片（1）在鉆切時固定在一個平坦的墊板（5）上。

9、根據(jù)權(quán)利要求8的方法的特點是，晶片用膠粘劑（6）固定在作為墊板的玻璃板上。

10、根據(jù)權(quán)利要求5的方法的特點是，鉆頭（7）的切削速度約為7米/秒，空心鉆（4）的進給速度為1～2毫米/分鐘。