[其他]高帶寬漸變型多模光纖的制造方法無效
| 申請號: | 88100850 | 申請日: | 1988-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN88100850A | 公開(公告)日: | 1988-09-28 |
| 發明(設計)人: | 梁建明;王旭華 | 申請(專利權)人: | 杭州無線電材料廠 |
| 主分類號: | C03B37/018 | 分類號: | C03B37/018 |
| 代理公司: | 浙江省專利事務所 | 代理人: | 王益新 |
| 地址: | 浙江省杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 帶寬 漸變 型多模 光纖 制造 方法 | ||
1、一種高帶寬漸變型多模光纖的制造方法,采用MCVD工藝制備光纖予制棒(該工藝包括在石英包皮管內沉積組分為F-P2O3-SiO2三元系的包層,沉積組分為GeO2-P2O5-SiO2三元系的芯層時只改變主摻雜劑GeCl4的流量,將沉積好的石英管燒縮成實芯棒),然后將所得予制棒拉成光纖,其特征是采用一次近似法控制GeCl4的載氣流量Fi相對于噴燈移動次數i的變化,一次近似的計算公式如下:
Fi=Fo[1-(1- (i)/(N) )a/2]·{1+β[1-(1- (i)/(N) )a/2]}
式中Fi為第i層的GeCl4載氣流量(ml/min),
i為沉積芯層時噴燈移動的次數,
N為芯層總沉積次數,
Fo為i=N時的GeCl4載氣流量(ml/min),
α為折射率分布指數,
β為原料組分決定的GeCl4含量。
2、根據權利要求1所述的高帶寬漸變型多模光纖的制造方法,其特征是POCl3摻雜量為3-3.5mol%。
3、根據權利要求1所述的高帶寬漸變型多模光纖的制造方法,其特征是燒縮時采用GeCl4補芯與CCl2F2腐蝕相結合的方法,獲得極窄的中心折射率凹陷。
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