[其他]動態隨機存取存儲單元及其制造方法

無效

• 申請號: 88101174
• 申請日: 1988-03-01
• 公開（公告）號: CN88101174A
• 公開（公告）日: 1988-12-07
• 發明（設計）人: 克拉倫斯·騰萬生;羅伯特·阿·都靈;阿斯維應·海·沙夏
• 申請（專利權）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76;H01L27/10;G11C11/24
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 傅遠

1、一種形成存儲單元的方法，包括：

在基片中形成溝槽，

用介電材料覆蓋所述的溝槽的表面，

用導電材料填入所述的溝槽，

蝕刻所述的導電材料使導電材料的高度降低到所述的溝槽之內，

用絕緣材料填滿所述溝槽的其余部份，

在所述的溝槽開口處形成摻雜漏極區，

產生露出所述溝槽一部分邊緣的蝕刻掩膜，

采用非均勻蝕刻工藝蝕刻所述的絕緣材料直至所述的導電材料，

在基片中形成源極區，所述源極區和所述的導電材料有電氣接觸，

在由所述的進入絕緣材料的蝕刻所暴露出的溝槽的側壁部分上形成柵極絕緣層，以及，

用柵極導電材料填充所提供的開孔，以提供控制所述的源極區和所述的漏極區之間導通的柵極。

2、如權利要求1的方法，其中，所述的溝槽成直角平行六面體，其主軸垂直于所述的基片表面。

3、如權利要求1的方法，其中，所述的溝槽在所述的基片內具有8微米的深度。

4、如權利要求1的方法，其中，所述的導電材料是多晶硅。

5、如權利要求1的方法，其中，所述的導電材料包括摻雜原子。

6、如權利要求5的方法，其中，所述的源極通過下列方法形成：

除去在所述的導電層和所述的基片之間的一部分所述的介電材料，

用導電接觸材料填充由所述的介電層的除去部分所空出的區域，在加熱下所述的摻雜離子通過導電接觸材料擴散，以及，

加熱整個結構，以通過所述接觸導電材料擴散所述的摻雜離子，從而在所述的基片內產生所述的源極區。

7、一種形成存儲單元的方法，包括：

在基片中形成溝槽，

用介電材料覆蓋所述的溝槽表面，

用導電材料填充所述的溝槽，

產生露出所述的溝槽一部分邊緣的蝕刻掩膜，

用絕緣材料填充所述的溝槽的其余部分，

除去所述的蝕刻掩膜，

在所述的溝槽開口處形成摻雜漏極區，

蝕刻原來由所述的蝕刻掩膜覆蓋的導電材料，使其高度下降至所述的溝槽內，

在基片內形成源極區，所述源極區和所述的導電材料有電氣接觸，

在由蝕刻所述的導電材料的覆蓋部分后所露出的溝槽的一部分側壁上形成柵極絕緣層，以及，

用柵極導電材料填充所產生的開孔，以形成控制所述的源極區和所述的漏極區之間的導通的柵極。

8、如權利要求7的方法，其中，所述的溝槽成直角平行六面體，其主軸垂直于所述的基片表面。

9、如權利要求7所述的方法，其中，所述的溝槽在所述的基片內的深度為8微米。

10、如權利要求7所述的方法，其中，所述的導電材料是多晶硅。

11、如權利要求7所述的方法，其中，所述的導電材料包括摻雜原子。

12、如權利要求11的方法，其中，所述的源極通過下列方法形成：

除去所述的導電層和所述的基片之間的一部分所述的介電材料，

用導電接觸材料填充由所述的介電層的除去部分所空出的區域，所述的摻雜離子在加熱下通過導電接觸材料擴散，以及，

加熱整個結構，以通過所述導電接觸材料擴散所述的摻雜離子，由此在所述的基片內產生所述的源極區。

13、一種存儲單元，包括在半導體基片內形成的溝槽，

在所述的溝槽壁上形成的絕緣層，

填充所述的溝槽的一部分的導電層，

通過所述的絕緣層至所述的基片形成的導電連接，這一連接提供了至基片內溝槽一側上形成的源極區的導電通道，

在所述的溝槽開口處在所述的溝槽的一側形成漏極區，所述的溝槽確定了所述的源極和所述的漏極之間的溝道區，

填充除了與所述的漏極區和所述的源極區相鄰的一部分以外的溝槽的其余部分的絕緣填充物，以及，

在所述的溝槽的其余部分中形成的導電柵極。

14、如權利要求13的存儲單元，其中，所述的溝槽成直角平行六面體形狀，其主軸垂直于所述的基片的表面。

15、如權利要求13的存儲單元，其中，所述的溝槽在所述的基片內的深度為8微米。