[其他]光陰極及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 88101430 | 申請日: | 1988-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN88101430A | 公開(公告)日: | 1988-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 荒枚成光 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01J1/34 | 分類號: | H01J1/34;H01J29/04;H01J9/12 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陰極 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種光陰極及其制造方法,該光陰極形成于一個(gè)具有細(xì)隙或細(xì)孔的部件上,且在長時(shí)期內(nèi)保持著高靈敏度。
一個(gè)有著光陰極的電子管的例子是X射線圖象增強(qiáng)器。如圖1中所示,這種X射線圖象增強(qiáng)器有柱形部件1以及光陰極2,柱形部件1由,例如,一種堿金屬鹵化物組成,以作為基底來吸收X射線3和發(fā)射光,光陰極(光電子轉(zhuǎn)換層)2形成于該基底上并由一種半金屬和一種堿金屬組成。參考數(shù)號4、5、6、7和8分別代表電子束、聚焦電極、電子透鏡、輸出熒光屏以及X射線圖象增強(qiáng)器。基底1將入射的X射線3轉(zhuǎn)換成可見光,而由可見光引起的光電效應(yīng)使光陰極2發(fā)射光電子。透鏡6加速這些光電子,并將它們在屏幕7上聚焦成電子圖象。屏幕7將電子圖象轉(zhuǎn)換成可見圖象。
這種X射線圖象增強(qiáng)器主要用于醫(yī)療診斷。所以,為了降低受檢物體的X射線照射量,對X射線圖象增強(qiáng)器的光陰極提出的要求是:光陰極的靈敏度要高且能在長時(shí)期內(nèi)穩(wěn)定地維持此靈敏度。
為了增加光陰極的靈敏度,如同許多著作中所述那樣,光陰極的成分比必須是由組成元素的原子價(jià)決定的化學(xué)計(jì)量成分比或與之接近的成分比。例如,在由半金屬Sb(三價(jià)的)和一些堿金屬(一價(jià)的)Cs、Na和K組成的多堿光陰極中,Sb和堿金屬總和的化學(xué)計(jì)量成分比理論上為1∶3。如果光陰極的成分比不是上述的成分比,或者成分比隨時(shí)間而改變,則靈敏度要下降。
由發(fā)光的多晶材料,諸如,CsI/Na、Cd2O2S/Tb、CsI/Tl等組成的基底是用物理沉積法(諸如真空蒸發(fā)或?yàn)R射)或化學(xué)沉積法(例如化學(xué)汽相淀積(CVD))來形成的。因此,和在有著非晶玻璃或金屬板基底的其它電子管的光陰極中不同,在這種基底中,會不可避免地產(chǎn)生大量晶粒邊界、狹窄的空隙、晶格缺陷或微孔。舉例來說,如圖2中所示,當(dāng)采用CsI/Na時(shí),基底1是這樣形成的,即光線在幾微米厚的CsI/Na柱形多晶體的縱軸方向行進(jìn),并到達(dá)光陰極2。用這種結(jié)構(gòu),能減少在基底中光的散射,且大量的光能被吸收和入射于光陰極上。
由一種諸如Sb、Bi、Te等半金屬和一種堿金屬組成的光陰極是通過,比如在基底上沉積的半金屬和加于其上的堿金屬之間的化學(xué)反應(yīng)來形成的。然而,如果如上所述在基底中產(chǎn)生狹窄的空隙或晶粒邊界,則堿金屬會進(jìn)入此狹窄的空隙、晶粒邊界乃至晶體本身,從而改變了光陰極的化學(xué)計(jì)量成分比。
為此,通常在基底和光陰極之間置入一層由真空蒸發(fā)形成的Al2O3、In2O3或諸如此類的中間層。但是,在中間層內(nèi)仍然會產(chǎn)生微孔和晶粒邊界(盡管它們并不像在基底中的微孔和晶粒邊界那樣大),從而降低了靈敏度。
圖3示出了一種光陰極的俄歇(Auger)分析結(jié)果,這種光陰極是由通過Al2O3中間層而在鈉激活碘化銫(CsI/Na)的柱形多晶體上形成的半金屬和多種堿金屬(Na、K和Cs)構(gòu)成的。沿橫座標(biāo)示出的稀有氣體的濺射時(shí)間代表光陰極的厚度。根據(jù)圖3,Sb和堿金屬總和的成分比為1∶35至1∶40,即明顯不同于上述化學(xué)計(jì)量成分比。而且,銫濃度顯著地高。這是因?yàn)椋谑褂枚嗑Р考幕讜r(shí),光陰極的靈敏度隨時(shí)間的推移而大大地下降。所以,為了補(bǔ)償這種下降,以犧牲使用初期的靈敏度為代價(jià),使成分比大大偏離化學(xué)計(jì)量成分比。
本發(fā)明已考慮到上述情況,其目的在于提供一種光陰極,該光陰極形成于由一個(gè)或多個(gè)表面具有大量狹窄空隙或微孔的部件組成的基底上,并主要由半金屬、鎂或銀以及一種或多種堿金屬所組成,其特征在于:光陰極形成于已形成在基底上的堿金屬氧化層上,而半金屬、鎂或銀與一種或多種堿金屬的成分比是化學(xué)計(jì)量的或接近于化學(xué)計(jì)量的。
本發(fā)明的另一目的是要提供一種形成光陰極的方法,該光陰極主要由一種在基底上的半金屬、鎂或銀以及一或多種堿金屬所組成,而該基底由一或多個(gè)表面具有大量狹窄空隙或微孔的部件所組成,其特征在于,形成光陰極的方法包括如下步驟:在基底上形成堿金屬氧化層;和在該堿金屬氧化層上形成光陰極,該光陰極中半金屬、鎂或銀和一種或多種堿金屬的成分比是化學(xué)計(jì)量的或近于化學(xué)計(jì)量的。
下面結(jié)合附圖詳細(xì)敘述本發(fā)明。
圖1是X射線圖象增強(qiáng)器的剖面概圖;
圖2是一種通常的光陰極和基底的放大剖面概圖;
圖3是通常光陰極的俄歇分析圖;
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案的放大剖面概圖;
圖5和圖6是根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案的光陰極的俄歇分析圖;
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