[其他]在低溫中應用含磷平面摻雜源

無效

• 申請號: 88103168
• 申請日: 1988-05-28
• 公開（公告）號: CN88103168A
• 公開（公告）日: 1988-12-28
• 發明（設計）人: 詹姆斯·埃里奇·拉普
• 申請（專利權）人: 歐文斯·伊利諾衣電視產品公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22;C30B31/08;C04B35/00
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 楊麗琴,魏金璽

1、用于制備摻雜源片的摻雜組合物，這種摻雜源片可通過P₂O₅的汽相輸運，將磷摻加到硅片上，而且可在低溫中應用，此摻雜組合物包括：

a)細分散的多晶陶瓷顆粒，這種多晶陶瓷在0～300℃的平均線性熱膨脹系數小于32×10^-7/℃，并主要由下述氧化物組成(摩爾百分比)：

氧化物??摩爾百分比

P₂O₅45～75

Al₂O₅11～28

Ta₂O₅6.5～13

SiO₂0～20

La₂O₃0～7

其中P₂O₅+Al₂O₃+Ta₂O₅至少占組成的75%(摩爾)，

b)Al₂O₃，以及

c)磷酸水溶液，它與Al₂O₃反應形成陶瓷顆粒的膠粘劑。

2、硅片摻雜的方法，此方法包括如下步驟：

（A）制成用于硅片摻磷的摻雜源片，此源片由一種組合物制成，此組合物包括：

（a）100目篩分或更細的陶瓷顆粒，其平均線性熱膨脹系數在0～300℃小于32×10^-7/℃，該陶瓷由下述氧化物組成（摩爾百分比）：

氧化物??摩爾百分比

P₂O₅45～75

Al₂O₃11～28

Ta₂O₅6.5～13

SiO₂0～20

La₂O₃0～7

其中，P₂O₅+Al₂O₃+Ta₂O₅至少占組成的75%（摩爾），

（b）Al₂O₃，以及

（c）磷酸水溶液，它與Al₂O₃反應，形成陶瓷顆粒的膠粘劑，

（B）焙燒摻雜源片，使之在硅片上形成玻璃狀層，這一玻璃狀層是通過P₂O₅的汽相輸運，將磷擴散進硅片中而形成的。

3、根據權利要求2的方法，其中還包括將步驟（A）中的源片進一步干燥的步驟，足以使之產生抗水性并在操作過程中不易破碎。

4、根據權利要求2的方法制備的摻磷硅片。

5、根據權利要求2的方法，其中摻雜片在氟碳聚合物模中成型，該片在模中干燥后，取出進行熱處理。

6、根據權利要求3的方法，其中干燥步驟在60～140℃下進行，而焙燒步驟則在1050～1150℃下進行。

7、根據權利要求3的方法，其中還包括在源片上開槽的步驟。

8、根據權利要求7的方法，其中的開槽步驟是在至少90℃下進行，以防止片的斷裂。

9、根據權利要求4的硅片，此制成的硅片有較厚的玻璃狀層和較低的層電阻。

10、根據權利要求3中的方法，其中玻璃狀層厚度約為200～2000。

11、根據權利要求3的方法，其中此片的層電阻在沉積時間為一小時左右時為2.5～3.0歐/方。

12、根據權利要求2的方法，其中摻雜硅片的層電阻約為1.5～300歐/方。

13、根據權利要求2的方法，其中摻雜硅片的層電阻約為2.5～75歐/方。

14、根據權利要求1的摻雜組合物制成的摻雜源片。