[其他]離子注入半導體瞬時退火設備在審
| 申請號： | 101985000000131 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100131B | 公開（公告）日： | 1987-02-25 |
| 發明（設計）人： | 錢佩信;侯東彥;陳必賢;馬騰閣;林惠旺;李志堅 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 清華大學專利事務所 | 代理人： | 廖元秋;胡蘭芝 |
| 地址： | 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本發明為離子注入半導體瞬時退火設備，屬于集成電路和半導體器件制造技術的工藝設備。本發明的特征是采用高頻加熱石墨板和石英退火腔以及充保護氣。本發明升溫快、設備簡單、操作方便和生產效率高（每小時六十片以上）。退火后電激活率高，注入離子再擴散小。本發明既適合于制作１μｍ短溝超大規模集成電路和淺ＰＮ結（結深為０．２μｍ）器件，又適合于離子注入化合物半導體退火。本發明還能用于絕緣層上多晶硅再結晶、磷硅玻璃回流、難熔金屬硅化物形成和淺ＰＮ結的歐姆結制作。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 離子 注入 半導體 瞬時 退火 設備 | ||
【主權項】：
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