[其他]抗輻射半導體器件在審
| 申請號： | 101985000003269 | 申請日： | 1985-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN85103269B | 公開（公告）日： | 1987-02-04 |
| 發明（設計）人： | 櫻井博司 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 肖春京;張衛民 |
| 地址： | 日本國東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明涉及抗輻射半導體器件，其電特性不會由于射線輻照而退化。本發明提出用以確定某種導電類型而摻入半導體內的雜質應選用同一元素的熱中子吸收截面較小的那種同位素，例如，用原子質量數為１１的硼原子作為受主雜質，用原子質量數為１２３的銻Ｓｂ作為施主雜質。當用射線輻照時，該雜質所經受的原子核反應大大小于其它同位素，所以，其雜質濃度變化甚小，電特性也不會發生變化。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 輻射 半導體器件 | ||
【主權項】：
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