[其他]光電池在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 101985000003355 | 申請(qǐng)日： | 1985-05-13 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1003150B | 公開(kāi)（公告）日： | 1989-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 深津猛夫;武內(nèi)勝;后藤一幸 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 三洋電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | 分類(lèi)號(hào)： | ||
| 代理公司： | 中國(guó)專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人： | 何光元 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | 采用本發(fā)明的光電池包含透明的基板，其基板上有透明的第一電極層，其第一電極上有Ｐ型的第一半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層的厚度約為２５－３００Ａ并具有可生成空穴的０．３ｅＶ以下的激活能。該光電池還包在第一半導(dǎo)體層上的相同電導(dǎo)率型的第二半導(dǎo)體層，它的厚度約為１００－１０００Ａ并有可生成空穴的０．３ｅＶ以上的激活能。該電池上還包含第二半導(dǎo)體層上的Ｉ型第三半導(dǎo)體層、第三半導(dǎo)體層上Ｎ型的第四半導(dǎo)體層和第四半導(dǎo)體層上的第二電極層。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光電池 | ||
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