[其他]礦物半導體檢測儀器在審
| 申請號： | 101985000003885 | 申請日： | 1985-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN85103885B | 公開（公告）日： | 1988-12-07 |
| 發明（設計）人： | 趙亨達 | 申請（專利權）人： | 遼寧省地質實驗研究中心 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 遼寧專利事務所 | 代理人： | 李宗津 |
| 地址： | 遼寧省沈*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明屬于測定礦物的物理性能的裝置。目前國內外測定礦物是否具有半導體特征均采用直接或間接測定該礦物電阻率的方法如兩針法、四針法等。但不適于對一些表面形狀不規則，體積很小的物質，如礦物顆粒進行測定。本發明基于新的原理來檢測表面不規則體積小的礦物半導體性能，使該礦物同電極組成類似肖特基二極管結構，檢測該結構是否具有整流特性從而判定該物質是否具有半導體特性。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 礦物 半導體 檢測 儀器 | ||
【主權項】：
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