[其他]絕緣層上多晶硅的激光加熱再結晶方法在審
| 申請號： | 101985000003942 | 申請日： | 1985-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN85103942B | 公開（公告）日： | 1988-03-16 |
| 發明（設計）人： | 林成魯;鄒世昌;沈宗雍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： |
本發明是一種制備ＳＯＩ材料的激光加熱再結晶方法，屬于半導體器件及集成電路的制造工藝。本發明采用激光加熱方法使兩層ＳｉＯ |
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| 搜索關鍵詞： | 絕緣 多晶 激光 加熱 再結晶 方法 | ||
【主權項】：
暫無信息
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