[其他]半導體器件的制造方法在審
| 申請號： | 101985000006463 | 申請日： | 1985-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN85106463B | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發明（設計）人： | 木山精一;今井秀記 | 申請（專利權）人： | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 劉暉 |
| 地址： | 日本國大阪府守*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明涉及一種具有很多光電轉換區的半導體器件的制造方法，該方法包括下列各步驟：準備好一個基片，在上述基片的一側主表面上連續地形成一層半導體薄膜，再用能量束，例如用激光束，從上述基片的另一側主表面進行照射，并去除該部位的半導體薄膜，從而把上述半導體薄膜分隔成各個區域。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
【主權項】：
暫無信息
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三洋電機株式會社，未經三洋電機株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/patent/101985000006463/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
