[其他]強光離子滲金屬裝置及其方法在審
| 申請號： | 101985000006757 | 申請日： | 1985-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN1004933B | 公開（公告）日： | 1989-08-02 |
| 發明（設計）人： | 李仲君 | 申請（專利權）人： | 電子工業部工藝研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 電子工業部專利服務中心 | 代理人： | 邱應鳳;徐嫻 |
| 地址： | 山西省太原市*** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明公開了一種利用二次著火現象所設計的強光離子滲金屬裝置及其方法。滲層深度明顯加深，滲鉬層達２８５微米，滲入金屬種類不受限制。陰極座上有一個用滲入金屬做成的桶形靶，內放工件，工件周圍放置滲入金屬碎片，在適當條件下，桶形靶內電離產生“雪崩”，形成高能量強光離子區，完成強光離子滲金屬過程，該區溫度可達１７００℃，也可以作為科學研究用新穎的高溫能源。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 強光 離子 金屬 裝置 及其 方法 | ||
【主權項】：
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