[其他]二氧化碲單晶體的生長技術在審
| 申請號： | 101985000007803 | 申請日： | 1985-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN1005159B | 公開（公告）日： | 1989-09-13 |
| 發明（設計）人： | 蒲芝芬;葛增偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 潘振**;聶淑儀 |
| 地址： | 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： |
一種屬于晶體生長技術的二氧化碲（ＴｅＯ |
||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 單晶體 生長 技術 | ||
【主權項】：
暫無信息
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海硅酸鹽研究所，未經中國科學院上海硅酸鹽研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/patent/101985000007803/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
