[其他]高跨導(dǎo)高厄利(Early)電壓模似(MOS)晶體管在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 101986000000192 | 申請(qǐng)日： | 1986-01-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1005884B | 公開（公告）日： | 1989-11-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬龍;錢其璈 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南開大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | 分類號(hào)： | ||
| 代理公司： | 南開大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人： | 耿錫錕 |
| 地址： | 天津市南開區(qū)*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 高跨導(dǎo)高Ｅａｒｌｙ電壓的Ｍｏｓ晶體管－－ＨＧＥＴ，屬于一族新型半導(dǎo)體集成器件。它能在常規(guī)的ＭＯＳ工藝下制造出跨導(dǎo)為２０～４０ｍＶ，Ｅａｒｌｙ電壓為４０～５０Ｖ的器件。這種器件放大器的電壓增益可達(dá)５７ｄｂ，它的等效電路是由兩個(gè)ＭＯＳ管和一個(gè)雙極型晶體管復(fù)合構(gòu)成，它的工藝簡(jiǎn)單，又能比普通的ＭＯＳ器件的芯片面積小β倍，用于模擬電路中即能獲得高增益，又因互補(bǔ)作用，能靈活滿足不同電路的設(shè)計(jì)要求。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高跨導(dǎo)高厄利 early 電壓 mos 晶體管 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
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