[其他]減少雙極器件的管道漏電和表面漏電的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 101986000002476 | 申請(qǐng)日： | 1986-04-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN86102476B | 公開（公告）日： | 1988-03-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 潘姬;趙洪林;殷淑華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天津大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | 分類號(hào)： | ||
| 代理公司： | 天津大學(xué)專利代理事務(wù)所 | 代理人： | 劉志剛;王國欣 |
| 地址： | 天津市南*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明提供一種簡(jiǎn)便易行的減少半導(dǎo)體器件的管道漏電流和表面漏電流的方法。本發(fā)明所提供的方法利用離子注入吸雜技術(shù)，在半導(dǎo)體基區(qū)表面附近的局部區(qū)域內(nèi)和發(fā)射區(qū)表面附近的局部區(qū)域內(nèi)形成遠(yuǎn)離ｅｂ結(jié)的吸雜缺陷。采用本發(fā)明所提供的方法不僅能有效地減少管道漏電和表面漏電，改善器件的性能，提高成品率，而且工藝簡(jiǎn)便，有利于降低成本。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 減少 器件 管道 漏電 表面 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
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