[其他]一種等離子陽極化方法在審
| 申請號： | 101986000002538 | 申請日： | 1986-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN86102538B | 公開（公告）日： | 1988-11-02 |
| 發明（設計）人： | 李瓊 | 申請（專利權）人： | 華東師范大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 上海德昭知識產權代理有限公司 | 代理人： | 湯錦森;俞允超 |
| 地址： | 上海普陀*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種等離子陽極化方法。它能夠以較簡單的設備，可靠地重復地大批量地在３００～６００℃溫度條件下，對半導體晶片進行自身氧化。經退火處理后，氧化層和界面特性都能達到高溫熱氧化水平，卻克服了高溫熱氧化固有的濺射效應，雜質再分布，鳥嘴效應等有害影響。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 一種 等離子 陽極 方法 | ||
【主權項】：
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