[其他]用于化合物半導(dǎo)體的薄膜層的生長(zhǎng)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 101986000006177 | 申請(qǐng)日： | 1986-09-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1004455B | 公開(kāi)（公告）日： | 1989-06-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 松居祐一 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | 分類(lèi)號(hào)： | ||
| 代理公司： | 中國(guó)專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人： | 肖**昌;肖春京 |
| 地址： | 日本大阪府大*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體的方法，它包括一個(gè)在化合物半導(dǎo)體的襯底或底層上除去雜質(zhì)分子的步驟，它在生長(zhǎng)外延層之前，將Ⅲ族分子束或Ⅴ族分子束投射到化合物半異體的襯底或底層上，以及一個(gè)在化合物半導(dǎo)體的襯底或底層上生長(zhǎng)Ⅲ族和Ⅴ族原子的化合物半導(dǎo)體薄膜層的步驟。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 化合物 半導(dǎo)體 薄膜 生長(zhǎng) 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
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