[其他]整個半導體層無電氣缺陷的半導體器件及其制造方法在審
| 申請號： | 101986000006409 | 申請日： | 1986-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN1003481B | 公開（公告）日： | 1989-03-01 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;鈴木邦夫;金花美樹雄;深田武;阿部雅芳;小林一平;柴田克彥;薄田真人;永山進;小柳薰 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京;蕭掬昌 |
| 地址： | 日本國神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本發明介紹了一種沒有因針孔或其它縫隙等缺陷引起的漏泄電流的經過改進的半導體器件，還介紹了一種加工半導體器件的經過改良的方法。按照本發明，在制造半導體層過程中所產生的縫隙在用淀積法制造電極之前用絕緣體進行充填。借助這種結構，即使在半導體層上有透明電極，也不會形成短路電流路徑。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 整個 半導體 電氣 缺陷 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
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