[其他]應(yīng)用側(cè)壁及去除技術(shù)制做亞微米掩模窗口的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101986000007855 | 申請日： | 1986-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN86107855B | 公開（公告）日： | 1988-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 羅伯特·基姆巴爾·庫克;約瑟夫·弗朗希斯·施帕德 | 申請（專利權(quán)）人： | 國際商用機(jī)器公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部 | 代理人： | 鄧明 |
| 地址： | 美國紐約州*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種用于在基底中制做窗口的方法，利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)，在基底上形成臺面。在整個(gè)結(jié)構(gòu)上淀積一膜層，并且將臺面有選擇地刻蝕掉，以在膜層中形成亞微米尺寸的窗口。用膜層作掩模，被掩模所露出的基底被反應(yīng)離子蝕刻。給出了制做多晶硅基區(qū)雙極性晶體管的發(fā)射區(qū)掩模的例子。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 應(yīng)用 側(cè)壁 去除 技術(shù) 制做 微米 窗口 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
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