[其他]半導(dǎo)體直接鍵合的表面處理方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101987000005937 | 申請日： | 1987-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN1003900B | 公開（公告）日： | 1989-04-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂世驥;阮寶崧;郭躍華;蔡躍明;陸明瑩 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京工學(xué)院 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 南京工學(xué)院專利事務(wù)所 | 代理人： | 樓高潮;陸志斌 |
| 地址： | 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于半導(dǎo)體片直接鍵合的表面處理方法，采用等離子體表面處理，不僅可以增加半導(dǎo)體表面的ＯＨ濃度，而且可以增加表面層內(nèi)原子活性，從而顯著增大鍵合強(qiáng)度。本方法可以在半導(dǎo)體表面生長絕緣層的同時(shí)完成，操作方便，成本低，便于在批量生產(chǎn)中應(yīng)用。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 直接 表面 處理 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
暫無信息
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