[其他]半導(dǎo)體元件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 101987000006746 | 申請(qǐng)日： | 1987-10-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1004735B | 公開（公告）日： | 1989-07-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | C·克里斯蒂安·阿巴斯;延斯·戈布雷希特;霍斯特·格呂寧;揚(yáng)·福博利爾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分類號(hào)： | 分類號(hào)： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌;杜有文 |
| 地址： | 瑞士*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 對(duì)一種在半導(dǎo)體襯底中具有各種不同摻雜層（２，３，４，５）的半導(dǎo)體元件進(jìn)行了電氣性能方面的改進(jìn)，方法是用深腐蝕坑（１０）局部減少載流區(qū)襯底的厚度，同時(shí)基本上保持半導(dǎo)體襯底原有的機(jī)械穩(wěn)定性。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元件 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
暫無信息
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