[其他]半導體發光器件的反射腔及其工藝無效
| 申請號： | 85100503 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100503A | 公開（公告）日： | 1986-09-17 |
| 發明（設計）人： | 孫體忠 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明是半導體發光器件的反射腔及其工藝，屬于半導體光電器件，特別是半導體發光器件的領域，它是利用單晶硅的各向異性腐蝕特性在單晶硅的(100)晶面上形成各種立方或長方錐形反射腔，再鍍上一層金屬(如Au，Ag或Al等)作為金屬鏡面，從而可制得各種LED指示燈，數碼管，5×7字符顯示或LED列陣等。本發明的反射腔工藝與通常的半導體器件工藝相容，用這種反射腔制得的LED器件，可使輸出光強增加，提高發光效率。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 發光 器件 反射 及其 工藝 | ||
【主權項】：
1、一種半導體發光器件的反射腔的制作工藝，其特征是在硅單晶片上生長腐蝕保護層后經光刻、腐蝕，鍍上反光層而形成的。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海冶金研究所，未經中國科學院上海冶金研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/patent/85100503/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：液壓直接傳動無級減速器原理
- 下一篇：機動車壓風呼吸防護裝置
