[其他]制備半導(dǎo)體化合物薄膜的射頻濺射法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85100504 | 申請(qǐng)日： | 1985-04-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN85100504A | 公開(kāi)（公告）日： | 1986-08-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黎錫強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/203 | 分類號(hào)： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 中國(guó)科學(xué)院上海專利事務(wù)所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市長(zhǎng)寧*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明是一種制備高蒸氣壓組分的Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體化合物薄膜的射頻濺射方法。為使濺射膜有較好化學(xué)計(jì)量比，本發(fā)明采用合成Ⅲ-Ⅴ族化合物塊錠或碎料和相應(yīng)的高蒸氣壓五族元素材料一起作為濺射靶并置于濺射室下方。本發(fā)明方法可在不同的襯底溫度下，得到單晶，多晶或非晶的Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體化合物薄膜。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制備 半導(dǎo)體 化合物 薄膜 射頻 濺射 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種制備有高蒸汽壓組分的Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體化合物薄膜的射頻濺射方法，其特征是使用所要制造的半導(dǎo)體化合物碎料或大塊錠和少量高蒸氣壓組分的五族元素材料一起作為濺射靶。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
