[其他]非線性磁場單晶硅拉制方法及其裝置無效
| 申請號： | 85100591 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN1003380B | 公開（公告）日： | 1989-02-22 |
| 發明（設計）人： | 周士仁;孔慶茂;紀彥蜀;高元愷;王守雨;韓長林;付澤國 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 哈爾濱工業大學專利事務所 | 代理人： | 黃錦陽 |
| 地址： | 黑龍江省哈*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | 一種在磁場中拉制單晶的方法和單晶爐，該單晶爐的螺旋管分成內徑大小不同的兩組，螺旋管的銜鐵做成爐壁的形狀，同時作為整個爐體的爐壁，并與爐體的上下端蓋和磁環形成全封閉結構，螺旋管由升降器支撐，可以相對坩堝做上下運動，拉晶時，坩堝位于由螺旋管所產生磁場的上端或下端具有喇叭形狀的非線性區域，以獲得對熔硅熱對流的盡可能大的抑制效果，全封閉結構的爐壁兼作銜鐵，使得用較小的直流功率源獲得較大的磁場強度成為可能。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 非線性 磁場 單晶硅 拉制 方法 及其 裝置 | ||
【主權項】：
1、一種在磁場中拉制單晶硅的方法。其特征在于所說磁場的上端[5]和下端[6]是呈向外張開的喇叭口形狀，裝有溶硅的坩堝[2]是放置于磁場的喇叭口處。
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